[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法

说明书

一种光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含用于构成量子阱结构的子层(111、112、113)。在此，在量子阱结构之内的能量级差在光电子半导体器件(10)的中央区域(14)中比在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中更小。根据其他实施方式，光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含适合于构成量子阱结构的子层。在此，在有源区(120)中在光电子半导体器件的中央区域(14)中构成量子点结构(122)。在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中不构成量子点结构。

技术领域

本申请要求德国专利申请DE 10 2018 133 123.1的优先权，其公开内容通过参引结合于此。

背景技术

在发光二极管(“LED”，light emitting diode)中在台面的边缘处产生悬空键(“dangling bonds”)，其例如会造成载流子的非辐射复合。由于非辐射复合会减小光学效率。

因此也寻找可以减少非辐射复合的问题的设计。

发明内容

本发明基于的目的是，提供一种改进的光电子半导体器件以及一种用于制造光电子半导体器件的方法。

根据实施方式，所述目的通过独立权利要求的实体和方法来实现。有利的改进方案在从属权利要求中限定。

光电子半导体器件具有有源区，所述有源区包含用于构成量子阱结构的子层。在此，在量子阱结构之内的能量级差在光电子半导体器件的中央区域中比在光电子半导体器件的边缘区域中更小。

例如，由量子阱结构的子层在边缘区域中相对于中央区域较薄的层厚度引起不同的能量级差。

根据其他实施方式，光电子半导体器件具有有源区，所述有源区包含适合于构成量子阱结构的子层。在此，在有源区中在光电子半导体器件的中央区域中构成量子点结构，并且在光电子半导体器件的边缘区域中不构成量子点结构。

例如，用于构成有源区的子层在边缘区域中具有比在中央区域中更小的层厚度。

例如，用于产生有源区的子层在边缘区域中沿着与水平方向相交的方向构成。

根据实施方式，光电子半导体器件还具有第一导电类型的第一半导体层，和第二导电类型的第二半导体层。在此，有源区设置在第一和第二半导体层之间。

光电子半导体器件例如可以是发光二极管。光电子半导体器件然而也可以是转换器，其适合用于接收第一波长的电磁辐射，并且发射大于第一波长的第二波长的电磁辐射。

例如，光电子半导体器件的侧壁可以与水平方向相交。

根据其他实施方式，有源区的子层设置在梯形构成的衬底区域之上。

一种用于制造光电子半导体器件的方法包括：将生长衬底的第一主表面结构化，使得第一主表面具有水平区域和倾斜侧面。所述方法还包括在第一主表面之上外延生长半导体层结构，所述半导体层结构包含用于制造有源区的子层，所述有源区具有量子阱结构，使得层结构在倾斜侧面的区域中具有比在水平区域中更小的层厚度。

例如，半导体层结构的生长包括第一导电类型的第一半导体层的生长，用于制造有源层的子层的生长和第二导电类型的第二半导体层的生长。

用于产生有源区的层可以在倾斜侧面的区域中倾斜地构成。

根据实施方式，在倾斜侧面的区域中的量子阱结构与在水平区域中的量子阱结构相比具有能量级之间的更大的能量差。

根据其他实施方式，在水平区域中构成量子点，并且在倾斜侧面的区域中不构成量子点。

所述方法还能够包括在倾斜侧面的区域中将各个光电子半导体器件分割。