[发明专利]用于分子检测的热传感器阵列和相关检测方案在审
申请号: | 201980085444.0 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN114041045A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | D·贝道;P·布拉甘卡 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G01K7/02 | 分类号: | G01K7/02;G01K7/16;G01K7/24;G01K5/62;G01N25/20;G01R33/00;G01R33/12;B82Y25/00;C12Q1/6869 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分子 检测 传感器 阵列 相关 方案 | ||
1.一种检测设备,所述检测设备包括:
至少一个流体通道,所述至少一个流体通道被配置为容纳多个待检测分子;
多个温度传感器;和
绝缘材料,所述绝缘材料包封所述多个温度传感器并且用于在所述多个温度传感器和所述至少一个流体通道的内容物之间提供屏障,
其中:
在所述流体通道内,所述绝缘材料的表面提供用于结合所述多个待检测分子的多个位点,所述多个位点位于所述多个温度传感器之间,并且
所述多个温度传感器中的每个温度传感器被配置为在存在交变磁场的情况下检测温度变化,所述温度变化指示在所述多个位点的相应子集处耦合到所述多个待检测分子中的至少一个待检测分子的一个或多个磁性纳米颗粒(MNP)存在或不存在。
2.根据权利要求1所述的检测设备,其中所述多个温度传感器中的每个温度传感器包括双金属感测结。
3.根据权利要求1所述的检测设备,其中所述多个温度传感器中的每个温度传感器包括氧化钒。
4.根据权利要求3所述的检测设备,其中所述氧化钒包括掺杂物。
5.根据权利要求4所述的检测设备,其中所述掺杂物包括铬、铌、钨、铁或它们的组合。
6.根据权利要求1所述的检测设备,其中所述多个温度传感器中的每个温度传感器包括纳米级温度计。
7.根据权利要求1所述的检测设备,其中所述多个温度传感器包括热电偶、热敏电阻器、金属电阻器或隧道结。
8.根据权利要求1所述的检测设备,其中所述多个温度传感器中的至少一个温度传感器包括设置在两个导电金属层之间的绝缘体层。
9.根据权利要求8所述的检测设备,其中:
所述绝缘体层包括氧化物或氮化物中的至少一种,并且
所述两个导电金属层包括铂、钽、钨、铜或钛中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的检测设备,其中所述检测设备是测序设备,并且其中所述多个待检测分子是生物分子。
11.根据权利要求10所述的检测设备,其中所述生物分子是核酸分子。
12.根据权利要求1所述的检测设备,还包括检测电路,所述检测电路包括:
多个选择器设备,所述多个选择器设备中的每个选择器设备耦接到所述多个温度传感器中的相应一个温度传感器。
13.根据权利要求12所述的检测设备,其中所述多个选择器设备中的至少一个选择器设备包括晶体管。
14.根据权利要求12所述的检测设备,其中所述多个选择器设备中的至少一个选择器设备包括堆叠内选择器。
15.根据权利要求1所述的检测设备,其中:
所述多个温度传感器的第一子集布置在第一行中;
所述多个温度传感器的第二子集布置在第二行中,所述第二行基本上平行于所述第一行;并且
所述至少一个流体通道设置在所述第一行和所述第二行之间。
16.根据权利要求1所述的检测设备,还包括耦接到所述多个温度传感器中的每个温度传感器的检测电路,其中所述检测电路包括:
第一线,所述第一线耦接到所述多个温度传感器的第一子集中的每个温度传感器的第一端,所述第一子集包括第一温度传感器;和
第二线,所述第二线耦接到所述多个温度传感器的第二子集中的每个温度传感器的第二端,所述第二子集包括所述第一温度传感器,其中所述第一温度传感器是所述多个温度传感器中包括在所述第一子集和所述第二子集两者中的唯一温度传感器。
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