[发明专利]真空泵在审

专利信息
申请号: 201980086195.7 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN113195900A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 桦泽刚志 申请(专利权)人: 埃地沃兹日本有限公司
主分类号: F04D19/04 分类号: F04D19/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李婷;王玮
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 真空泵
【说明书】:

提供一种真空泵,通过防止旋转体的过热而能够防止旋转体的破损并且能够将大量的气体连续地排气。随着转子轴(113)的旋转,利用形成于螺纹槽(9)和转子轴(113)的下端壁部之间的螺纹槽泵的作用,在螺纹槽(9)的上端和下端之间产生液体的压力差。由此,底部空间(1)的液体被吸上。被吸上的液体通过中空孔(11),通过连通孔(19)而被放出至转子轴(113)的外部。该被放出的液体通过旋转体(103)的轮毂(99)的内侧到达延长部件(95)。包围延长部件(95)的下端的液体从突起部(83)作为液滴而在径向上被甩出。利用分隔壁(93)挡住该液滴。由于在分隔壁(93)的上部存在突起部(91),所以液滴不会越过该分隔壁(93)。留存的液体从连通孔(85)落下而返回至底部空间(1)。循环的液体几乎不会减少而可以再生利用。

技术领域

本发明涉及一种真空泵,特别地涉及一种通过防止旋转体的过热而能够防止旋转体的破损并且能够将大量的气体连续地排气的真空泵。

背景技术

随着近年来电子技术的发展,对存储器和集成电路等半导体的需要急速增加。

这些半导体是将杂质掺杂于纯度极高的半导体基板而赋予其电学特性、通过蚀刻将精细的电路形成于半导体基板上等而制造的。

并且,这些作业为了避免空气中灰尘等导致的影响而需要在高真空状态的腔室内进行。对于该腔室的排气,一般地使用真空泵,特别地从残留气体少、维修容易等方面考虑,经常使用作为真空泵其中之一的涡轮分子泵。

此外,在半导体的制造工序中,有数量很多的使各种各样的工艺气体作用于半导体的基板的工序,涡轮分子泵不仅用于使腔室内成为真空,也用于将这些工艺气体从腔室内排气。

不过,有时为了提高反应性而以高温的状态将工艺气体导入腔室。

并且,这些工艺气体有时在被排气时被冷却而变为某一温度则成为固体而在排气系统中析出生成物。并且,有时这种工艺气体在涡轮分子泵内成为低温而成为固体状,附着并堆积于涡轮分子泵内部。

若在涡轮分子泵内部堆积工艺气体的析出物,则这些堆积物使泵流路狭窄,成为使涡轮分子泵的性能下降的原因。

为了解决该问题,以往在涡轮分子泵的基座部等的外周卷装加热器、环状的水冷管,并且例如在基座部等埋入温度传感器,基于该温度传感器的信号而进行加热器的加热、基于水冷管的冷却的控制,以使基座部的温度保持于一定范围的高温。

由于该控制温度越高生成物越难以堆积,所以期望尽可能地提高该温度。

另一方面,在这样地使基座部为高温时,存在如下的问题:旋转翼在排气载荷的变动、周围温度变为高温的情况等时超过边界温度。

在该方面,例如,在滚珠轴承式真空泵中,在轴承部分旋转体和固定部分接触,所以能够期望从该位置散热。

但是,在磁性轴承式真空泵中,利用磁性而以非接触的方式支承旋转体,所以不能够散热。因此,随着工艺气体的压缩而在旋转体产生的压缩热、工艺气体与旋转体接触或者碰撞时产生的摩擦热、在马达产生的热的散热成为课题。

对于该问题,以往将高辐射率的涂层涂布于旋转翼以及固定翼以促进辐射传热(参照专利文献1)。或者,将减少间隙的间隔件设置于旋转翼的内周面和定子的外周面之间,以促进经由气体的散热(参照专利文献2)。

专利文献1:日本特开2005-320905公报

专利文献2:日本特开2003-184785公报。

然而,仅利用上述专利文献1的辐射传热、专利文献2的经由气体的散热,难以确保充分的散热量。因此,以往为了防止旋转体的过热导致的破损,需要限制由泵排气的气体的流量。因此,不能充分地发挥泵原本具有的能力。

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