[发明专利]石英玻璃坩埚、及使用该石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法、石英玻璃坩埚的红外线透射率测定方法及制造方法

权利要求书

1.一种石英玻璃坩埚，其具有圆筒状的侧壁部、底部以及连接所述侧壁部与所述底部的角部，所述石英玻璃坩埚特征在于，具备：

透明层，由不含气泡的石英玻璃构成；

气泡层，形成在所述透明层的外侧，由包含多个气泡的石英玻璃构成；以及

半熔融层，形成在所述气泡层的外侧，原料二氧化硅粉在半熔融的状态下凝固而成，

去除所述半熔融层的状态下的所述角部的红外线透射率为25～51％，

去除所述半熔融层的状态下的所述角部的红外线透射率比去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的红外线透射率低，

去除所述半熔融层的状态下的所述角部的红外线透射率比去除所述半熔融层的状态下的所述底部的红外线透射率低。

2.根据权利要求1所述的石英玻璃坩埚，其中，

去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的红外线透射率比去除所述半熔融层的状态下的所述底部的红外线透射率高。

3.根据权利要求1或2所述的石英玻璃坩埚，其中，

去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的红外线透射率为46～84％，去除所述半熔融层的状态下的所述底部的红外线透射率为36～70％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的石英玻璃坩埚，其中，

去除所述半熔融层的状态下的所述角部的导热系数为1.5×10³～5.8×10³cal/cm·s·℃，

去除所述半熔融层的状态下的所述角部的导热系数比去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的导热系数低；

去除所述半熔融层的状态下的所述角部的导热系数比去除所述半熔融层的状态下的所述底部的导热系数低。

5.根据权利要求4所述的石英玻璃坩埚，其中，

去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的导热系数为3.5×10^-3～15.0×10^-3cal/cm·s·℃，

去除所述半熔融层的状态下的所述底部的导热系数为2.7×10^-3～13.2×10^-3cal/cm·s·℃。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的石英玻璃坩埚，其中，

所述角部的所述气泡层厚度为10～35mm，

所述侧壁部的所述气泡层厚度为1～21mm，

所述底部的所述气泡层厚度为4～21mm。

7.一种单晶硅的制造方法，其为利用提拉法的单晶硅制造方法，所述单晶硅的制造方法的特征在于，

使用权利要求1至6中任一项所述的石英玻璃坩埚，提拉具有12×10¹⁷atoms/cm³以下的氧浓度的单晶硅。

8.一种石英玻璃坩埚，其具有圆筒状的侧壁部、底部以及连接所述侧壁部与所述底部的角部，所述石英玻璃坩埚的特征在于，具备：

透明层，由不含气泡的石英玻璃构成；

气泡层，形成在所述透明层的外侧，由包含多个气泡的石英玻璃构成；

半熔融层，形成在所述气泡层的外侧，原料二氧化硅粉在半熔融的状态下凝固而成；以及

至少一个半熔融层去除部，由去除了所述半熔融层的一部分的区域构成。

9.根据权利要求8所述的石英玻璃坩埚，其中，

所述半熔融层去除部包括设置在所述侧壁部的第1半熔融层去除部、设置在所述角部的第2半熔融层去除部以及设置在所述底部的第3半熔融层去除部。