[发明专利]基板分析方法及基板分析装置

说明书

本发明提供一种可更简易且迅速地分析基板端部的分析技术。本发明的基板分析方法，是利用基板分析用的喷嘴的基板分析方法，该基板分析用的喷嘴从前端送出分析液，并且以所送出的分析液扫描基板表面之后利用抽吸分析液，该基板分析方法在与喷嘴的前端相对向的位置，配置用以承接被送出的分析液的液承接板，且将从前端送出的分析液保持在喷嘴的前端与液承接板之间，且在喷嘴的前端与液承接板之间，以可插入基板端部的方式对基板进行位置调整，并且使基板端部接触于保持在喷嘴的前端与液承接板之间的分析液，且在基板端部接触于分析液的状态下，使喷嘴及液承接板沿着基板的周缘同时地移动，以分析基板端部。

技术领域

本发明关于一种用以分析包含在基板的微量金属等分析对象物的基板分析方法及装置。

背景技术

半导体晶圆等基板的分析是在制造步骤等中通过微量的分析液检测出混入于基板的金属、有机物质等而进行。例如，当分析“在硅晶圆等基材形成有硅氧化膜或氮化膜等的基板”时，在进行通过气相分解法等来蚀刻形成膜之前处理之后，将微量的分析液送出至喷嘴的前端，并且利用所送出的分析液来扫描基板表面，并且将属于分析对象物的金属或有机物质等导入至分析液，并且将该分析液进行感应耦合等离子体质谱分析(ICP-MS)而进行。

然而，在半导体晶圆等基板的处理中，为了尽可能地避免污染等缺失，将基板收纳在收纳匣盒，来进行搬送、设置等。但在收纳在该收纳匣盒的基板中，其外周侧的基板端部会接触收纳匣盒。并且，如此，在基板端部接触收纳匣盒的基板中，预期会有该端部的污染，而担心其端部的污染会扩散至基板表面侧。因此，在半导体晶圆等的基板中，除了基板表面的分析之外，也进行对于基板的端部的分析。

使用图1来说明该基板的端部的详细。图1显示半导体晶圆的基板W的剖面的一部分。对于半导体晶圆等的基板W的外周侧的端部，进行所谓的倾面处理(对基板的外周等进行倒角研磨的加工处理)。在本申请中，如图1所示，将倒角加工部分1与最外周端2的部分(图1的B所示的箭头区域)称为倾面部，且将包含该倾面部B的倒角加工部分1与基板的表面3的交界区域及倾面部的倒角加工部分1与基板的背面4的交界区域的情形(图1的E所示的箭头区域)称为边缘部。

就该基板的端部的分析而言，已有一种例如专利文献1或专利文献2所记载的分析方法。在专利文献1中，公开了一种分析方法，该分析方法：在使药液(分析液)接触于半导体晶圆的表面的状态下，对药液朝周方向进行操作，据此回收包含杂质的药液的半导体晶圆的药液回收方法；该方法包含：通过将药液的半径方向位置定位在半导体晶圆的表面平坦部中可与倒角部的交界区域接触的位置，且朝周方向扫描，以回收包含杂质的药液的第1步骤；以及将药液的半径方向位置定位在可接触于半导体晶圆的倒角部的前述交界区域的两方的位置，且朝周方向扫描，以回收包含杂质的药液的第2步骤。

并且，在专利文献2中，公开了一种利用基板处理装置进行分析的方法，该基板处理装置具备：回收辅助具，是设置有可供液滴储留的内部空间、及贯通孔，该贯通孔连通该内部空间及位于下端部的开口，且该回收辅助具具备：具有沿着上下方向的轴心的筒状部；以及移动机构，是可在使从前述内部空间露出的液滴附着于基板的状态下，使前述回收辅助具沿着基板的面相对移动；前述开口的大小具有：使既定量的液滴储留在前述内部空间且在将前述回收辅助具支持在半空中时，液滴虽会从前述开口垂下但不会滴落的尺寸。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：日本特许第4521861号公报

专利文献2：日本特开2008-159657号公报。