[发明专利]单晶X射线构造解析系统在审

专利信息
申请号: 201980088789.1 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN113454447A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 佐藤孝 申请(专利权)人: 株式会社理学
主分类号: G01N23/20025 分类号: G01N23/20025;G01N23/205;G01N23/207;G01N1/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张远
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 射线 构造 解析 系统
【权利要求书】:

1.一种单晶X射线构造解析系统,进行物质的构造解析,其特征在于,

所述单晶X射线构造解析系统具备吸藏装置和单晶X射线构造解析装置,

所述单晶X射线构造解析装置具备:

产生X射线的X射线源;

保持试样的试样固定器;

安装所述试样固定器并来回转动的测角仪;

对安装于所述测角仪的所述试样固定器中所保持的所述试样照射来自所述X射线源的X射线的X射线照射部;

检测通过所述试样而衍射或散射的X射线来进行测定的X射线检测测定部;和

基于在所述X射线检测测定部检测到的衍射或散射X射线来进行所述试样的构造解析的构造解析部,

所述试样固定器包括能够在形成于内部的多个微细孔吸藏所述试样的细孔性络合物晶体,

所述吸藏装置使所述试样吸藏在所述试样固定器的细孔性络合物晶体。

2.根据权利要求1所述的单晶X射线构造解析系统,其特征在于,

所述单晶X射线构造解析系统还具备前处理装置,

所述前处理装置包括液体色谱仪、气体色谱仪、超临界流体色谱仪、电泳装置的至少1者,

所述吸藏装置具备:使由所述前处理装置提供的所述试样选择性地导入所述试样固定器的细孔性络合物晶体并进行吸藏的控制部。

3.根据权利要求2所述的单晶X射线构造解析系统,其特征在于,

所述控制部使由所述前处理装置提取的所述试样通过流路的压力的调整而吸藏在所述试样固定器的细孔性络合物晶体。

4.根据权利要求2或3所述的单晶X射线构造解析系统,其特征在于,

所述控制部使由所述前处理装置提取的所述试样通过流路的流量的调整而吸藏在所述试样固定器的细孔性络合物晶体。

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