[发明专利]半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，

具有：

薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台(13)并将上述基板加热、并且导入包含用于使薄膜(18)在上述基板之上生长的原料的供给气体；以及

供给气体单元(20，30)，向上述腔室内导入上述供给气体，

上述供给气体单元具有：

多个供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体，该气体导入源储存包含上述原料的多个气体；

原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)，设置于上述多个供给配管的每一个，控制经过上述多个供给配管的每一个的供给气体的流量；

集合配管(101，111)，在比上述流量控制器靠下游侧，通过连接上述多个供给配管而生成上述供给气体的混合气体；

多个分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接在上述集合配管的下游侧，分配上述混合气体；

压力控制器(24，34)，设置于上述多个分配配管中的1个，调整上述混合气体的压力即混合气体压力；以及

分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，设置于上述多个分配配管中的与设置有上述压力控制器的分配配管不同的分配配管，控制经过上述分配配管的混合气体的流量，

至少经由设置有上述分配用的流量控制器的上述分配配管将上述混合气体导入到上述腔室，进行由上述薄膜形成部进行的上述薄膜的生长。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

经过设置有上述压力控制器的上述分配配管的上述混合气体也向上述腔室导入，用于由上述薄膜形成部进行的上述薄膜的生长。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

经由设置有上述压力控制器的上述分配配管而导入的上述混合气体，与经由设置有上述分配用的流量控制器的上述分配配管而导入的上述混合气体相比，被导入到上述设置台的更外周侧。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在上述供给气体单元之外，还具备向上述腔室内导入载流子气体的载流子气体单元(60)，

上述载流子气体单元连接于向上述腔室导入上述载流子气体的多个导入配管(150a～150c)，

上述多个分配配管中的至少设置有上述分配用的流量控制器的上述分配配管连接于上述多个导入配管的每一个，经由上述导入配管导入上述混合气体。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

作为上述供给气体，除了上述原料以外，载流子气体也从上述多个供给配管的一部分向上述供给气体单元导入。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述供给气体单元具备多个，从多个供给气体单元供给包含分别不同的原料的供给气体。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

除了上述供给气体单元以外，还包含将含有成为上述薄膜的掺杂剂的原料的掺杂剂原料气体作为供给气体来供给的掺杂剂单元(40，50)。