[发明专利]半导体制造装置

说明书

半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接到集合配管的下游侧；压力控制器(24，34)，调整混合气体压力；以及分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，控制混合气体的流量。

关联申请的相互参照

本申请基于2019年1月16日申请的日本专利申请第2019－005486号，这里通过参照而引用其记载内容。

技术领域

本发明涉及对半导体基板等基板进行包含原料的气体供给从而进行薄膜等的形成的半导体制造装置。

背景技术

专利文献1中，提出了对半导体基板进行包含原料的气体供给从而进行薄膜形成的半导体制造装置。该半导体制造装置通过集合配管使按各种气体的每种气体而设置的多个气体供给配管混合，将混合气体向多个气体导入配管分配，从而实现对配置在承载器上的晶片的大范围气体供给。

各气体供给配管具备原料流入用的流量控制器(以下称作原料MFC)，能够调整向集合配管的各供给气体的供给量。此外，各气体导入配管也具备分配量控制用的MFC(以下称作分配MFC)，能够通过分配MFC调整向承载器的各处的混合气体的导入量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012－9500A

发明内容

但是，在如上述专利文献1记载的装置那样、通过原料MFC调整供给气体的流量并通过分配MFC调整混合气体的流量的结构下，由于存在MFC的控制误差，所以有可能不能进行适当的流量控制。例如，假设在集合配管中希望生成的混合气体的总量是10，则原料MFC进行阀的开度控制以使向集合配管的供给气体的总量(以下称作供给气体总量)成为10。此外，假设分配MFC想要进行阀的开度控制以使来自集合配管的混合气体的排出量的总量(以下称作分配气体总量)成为10。但是，由于产生控制误差，所以例如有虽然供给气体总量为10但分配气体总量为8的情况。该情况下，原料MFC想要将供给气体的流量保持固定并使阀的开度增大，但集合配管中的混合气体的压力(以下称作混合气体压力)上升，与供给气体的压力(以下称作供给气体压力)之间的差压逐渐变小。这样，基于原料MFC的混合气体的流量减少，不再能够使混合气体成为目标流量。因此，不再能够进行适当的流量控制。这样的状况在相对于供给气体总量而言分配气体总量变多的情况下也发生。

本发明的目的在于，提供能够通过更适当的流量控制进行薄膜形成的半导体制造装置。

根据本发明的一实施方式，半导体制造装置具有：

薄膜形成部，具有腔室，该腔室具备设置基板的设置台并将基板加热、并且导入包含用于使薄膜在基板之上生长的原料的供给气体；以及供给气体单元，向腔室内导入供给气体。并且，供给气体单元具有：多个供给配管，供给来自气体导入源的气体，该气体导入源储存包含原料的多个气体；原料用的流量控制器，设置于多个供给配管的每一个，控制经过该多个供给配管的每一个的供给气体的流量；集合配管，在比流量控制器靠下游侧，通过连接多个供给配管而生成供给气体的混合气体；多个分配配管，连接在集合配管的下游侧，分配混合气体；压力控制器，设置于多个分配配管中的1个，调整混合气体的压力即混合气体压力；以及分配用的流量控制器，设置于多个分配配管中的与设置有压力控制器的分配配管不同的分配配管，控制经过该分配配管的混合气体的流量。在这样的结构下，至少经由设置有分配用的流量控制器的分配配管将混合气体导入到腔室，进行由薄膜形成部进行的薄膜的生长。