[发明专利]一种接口电路有效
申请号: | 201980089091.1 | 申请日: | 2019-03-06 |
公开(公告)号: | CN113302570B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 张津海 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接口 电路 | ||
1.一种接口电路,其特征在于,包括:
放大器,第一开关,第二开关和第三开关,其中,
所述放大器的输入端被耦合至所述接口电路的输入节点,所述放大器的输出端被耦合至所述第二开关的控制端,所述放大器的输出端还通过所述第三开关被耦合至地,
所述第一开关和第二开关串接于供电电压和地之间,所述接口电路的输出节点设置于所述第一开关和第二开关之间;
所述接口电路包括控制逻辑,所述控制逻辑用于:当所述输入节点的输入信号位于上升沿时,所述第一开关和所述第三开关在T0时刻之前关断,所述第一开关和所述第三开关在T0时刻之后导通,其中,所述T0时刻为输入信号位于上升沿的低电平和高电平之间的任意时刻。
2.如权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述第一开关为P型氧化物半导体PMOS晶体管,所述第一开关的栅极为控制端,所述第一开关的漏极耦合至所述供电电压,所述第一开关的源极耦合至所述输出节点。
3.如权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述第二开关为N型金属氧化物半导体NMOS晶体管,所述第二开关的栅极为控制端,所述第二开关的漏极耦合至地,所述第二开关的源极耦合于所述输出节点。
4.如权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述第三开关为NMOS晶体管,所述第三开关的栅极为控制端,所述第三开关的漏极与所述放大器的输出端耦合,所述第三开关的源极耦合至地。
5.如权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述控制逻辑还用于:在所述输入节点的输入信号进入下降沿之前,所述第一开关和所述第三开关在T1时刻之前导通,所述第一开关和所述第三开关在T1时刻之后关断,其中,所述T1时刻为输入信号进入下降沿之前的任意时刻。
6.如权利要求1-4任意一项所述的接口电路,其特征在于,两个所述接口电路的输出节点耦合至接口负载的两端,构成差分接口电路,两个所述接口电路分别作为所述差分接口电路的第一半边电路和第二半边电路。
7.如权利要求6所述的接口电路,其特征在于,包括控制逻辑,所述控制逻辑用于:当所述第一半边电路输入节点的输入信号位于上升沿时,所述第二半边电路的第一开关保持导通,所述第二半边电路的第三开关保持导通,所述第二半边电路的第二开关保持关断,所述第一半边电路的第一开关和第三开关在T0时刻之前关断,所述第一半边电路的第一开关和第三开关在T0时刻之后导通,其中,所述T0时刻为输入信号位于上升沿的低电平和高电平之间的任意时刻。
8.如权利要求7所述的接口电路,其特征在于,所述控制逻辑还用于:在所述第一半边电路输入节点的输入信号进入下降沿之前,所述第二半边电路的第一开关保持导通,所述第二半边电路的第三开关保持导通,所述第二半边电路的第二开关保持关断,所述第一半边电路的第一开关和第三开关在T1时刻之前导通,所述第一半边电路的第一开关和第三开关在T1时刻之后关断,其中,所述T1时刻为输入信号进入下降沿之前的任意时刻。
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