[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，具备：

多个第1导电体，沿着第1方向积层；

第2导电体、第3导电体及第4导电体，在所述多个第1导电体的上方积层在同一层；

多个第5导电体，沿着所述第1方向积层；

第6导电体，积层在所述多个第5导电体的上方；

第1半导体，沿着所述第1方向在所述第2导电体与所述第6导电体之间延伸；

第2半导体，沿着所述第1方向在所述第3导电体与所述第6导电体之间延伸；及

第3半导体，沿着所述第1方向在所述第4导电体与所述第6导电体之间延伸。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，还具备：

第1电荷蓄积膜，位于所述第2导电体与所述第1半导体之间；

第2电荷蓄积膜，位于所述第6导电体与所述第1半导体之间；

第3电荷蓄积膜，位于所述第3导电体与所述第2半导体之间；

第4电荷蓄积膜，位于所述第6导电体与所述第2半导体之间；

第5电荷蓄积膜，位于所述第4导电体与所述第3半导体之间；及

第6电荷蓄积膜，位于所述第6导电体与所述第3半导体之间。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

所述第1电荷蓄积膜与所述第2电荷蓄积膜彼此分离，

所述第3电荷蓄积膜与所述第4电荷蓄积膜彼此分离，且

所述第5电荷蓄积膜与所述第6电荷蓄积膜彼此分离。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

所述第1电荷蓄积膜与所述第2电荷蓄积膜是连续膜，

所述第3电荷蓄积膜与所述第4电荷蓄积膜是连续膜，且

所述第5电荷蓄积膜与所述第6电荷蓄积膜是连续膜。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

所述第2导电体、所述第3导电体、所述第4导电体及所述第6导电体彼此电切断。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，还具备：

第1接点，与所述第2导电体的上表面相接；

第2接点，与所述第3导电体的上表面相接；

第3接点，与所述第4导电体的上表面相接；及

第4接点，与所述第6导电体的上表面相接。

7.一种存储器装置，具备：

多个第1导电体，沿着第1方向积层；

第2导电体及第3导电体，在所述多个第1导电体的上方积层在同一层；

多个第5导电体，沿着所述第1方向积层；

第6导电体及第7导电体，在所述多个第5导电体的上方积层在同一层；

第1半导体，沿着所述第1方向在所述第2导电体与所述第6导电体之间延伸；

第2半导体，沿着所述第1方向在所述第3导电体与所述第6导电体之间延伸；

第3半导体，沿着所述第1方向在所述第3导电体与所述第7导电体之间延伸；及

接点，与所述第6导电体的上表面及所述第7导电体的上表面相接。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，还具备：

第1电荷蓄积膜，位于所述第2导电体与所述第1半导体之间；

第2电荷蓄积膜，位于所述第6导电体与所述第1半导体之间；

第3电荷蓄积膜，位于所述第3导电体与所述第2半导体之间；

第4电荷蓄积膜，位于所述第6导电体与所述第2半导体之间；

第5电荷蓄积膜，位于所述第3导电体与所述第3半导体之间；及

第6电荷蓄积膜，位于所述第7导电体与所述第3半导体之间。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中

所述第1电荷蓄积膜与所述第2电荷蓄积膜彼此分离，

所述第3电荷蓄积膜与所述第4电荷蓄积膜彼此分离，且

所述第5电荷蓄积膜与所述第6电荷蓄积膜彼此分离。