[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201980089216.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN113383419A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 都永洛;朴后根 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L29/786 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
发光元件;
第一晶体管,配置为向所述发光元件传输驱动电流;
第二晶体管,配置为向所述第一晶体管传输数据信号,
其中,
所述第一晶体管包括第一有源层,
所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层,以及
所述发光元件包括:
第一导电类型半导体,具有第一极性;
第二导电类型半导体,具有与所述第一极性不同的第二极性;以及
有源材料层,设置在所述第一导电类型半导体和所述第二导电类型半导体之间。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一晶体管的所述第一有源层包括氧化物半导体。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述氧化物半导体包括铟镓锡氧化物(IGTO)或铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述发光元件的长度在4μm至7μm的范围内,并且所述发光元件的纵横比在1.2至100的范围内。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一晶体管包括设置在所述第一有源层下方的第一栅电极。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一有源层包括第一导电化区、第二导电化区和设置在所述第一导电化区和所述第二导电化区之间的沟道区。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一晶体管还包括:
第三栅电极,设置在所述第一有源层上;
第一源电极,通过穿过设置在所述第三栅电极上的层间绝缘膜的第一接触孔连接到所述第一导电化区;以及
第一漏电极,通过穿过所述层间绝缘膜的第二接触孔连接到所述第二导电化区。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述第一有源层包括多晶硅。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,所述第一晶体管还包括设置在所述第一有源层下方的光阻挡层。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二晶体管包括:
第二栅电极,设置在所述第二有源层下方;
第二源电极,连接到所述第二有源层的一侧;以及
第二漏电极,连接到所述第二有源层的另一侧。
11.根据权利要求10所述的显示设备,还包括数据线,所述数据线配置为传输所述数据信号,
其中,所述数据线还包括导电图案,所述导电图案设置成与所述第二晶体管的所述第二源电极间隔开并且连接到所述数据线和所述第二源电极。
12.一种显示设备,包括:
衬底;
第一栅电极,设置在所述衬底上;
第一栅极绝缘膜,设置在所述第一栅电极上;
第一有源层,设置在所述第一栅极绝缘膜上,与所述第一栅电极部分地重叠,并且包括氧化物半导体;
第一层间绝缘膜,设置在所述第一有源层上;
第二栅电极,设置在所述第一层间绝缘膜上;
第二层间绝缘膜,设置在所述第二栅电极上;
第二有源层,设置在所述第二层间绝缘膜上,与所述第二栅电极部分地重叠,并且包括氧化物半导体;以及
第一导电层,包括设置在所述第二层间绝缘膜上的第一信号线和形成在所述第二有源层的一侧上的源电极;
其中,所述第一导电层还包括与所述源电极的一侧和所述第一信号线部分地重叠的导电图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的