[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201980089216.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN113383419A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 都永洛;朴后根 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L29/786 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
提供了显示设备。显示设备包括:发光元件;第一晶体管,用于向发光元件传输驱动电流;第二晶体管,用于向第一晶体管传输数据信号,其中,第一晶体管包括第一有源层,第二晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层,以及发光元件包括:第一导电类型半导体,具有第一极性;第二导电类型半导体,具有与第一极性不同的第二极性;以及有源材料层,布置在第一导电类型半导体和第二导电类型半导体之间。
技术领域
本发明涉及显示设备,且更具体地,涉及包括具有微米或纳米单位尺寸的发光元件和氧化物薄膜晶体管的显示设备。
背景技术
随着多媒体的发展,显示设备变得越来越重要。响应于该发展,正在使用各种类型的显示设备,诸如有机发光二极管(OLED)显示设备、液晶显示(LCD)设备等。
显示设备的用于显示图像的器件包括显示面板,诸如OLED面板或LCD面板。在上述面板中,发光显示面板可以包括发光元件。例如,LED包括使用有机材料作为荧光材料的OLED和使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
与OLED相比,使用无机半导体作为荧光材料的无机LED在高温环境中具有耐久性并且具有蓝光效率高的优点。此外,即使在被指出是常规无机LED元件的限制的制造工艺中,也已经开发了使用介电泳(DEP)的转移方法。因此,正在对与OLED相比具有优异耐久性和优异效率的无机LED进行研究。
发明内容
技术问题
本发明旨在提供一种包括氧化物薄膜晶体管作为用于驱动具有精细尺寸的发光元件的电路元件层的显示设备。
应当注意,本发明的目的不限于上述目的,并且本发明的其它目的对于本领域技术人员来说将从以下描述中显而易见。
技术方案
根据实施方式,显示设备包括:发光元件;第一晶体管,配置为向发光元件传输驱动电流;第二晶体管,配置为向第一晶体管传输数据信号,其中,第一晶体管包括第一有源层,第二晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层,以及发光元件包括:第一导电类型半导体,具有第一极性;第二导电类型半导体,具有与第一极性不同的第二极性;以及有源材料层,设置在第一导电类型半导体和第二导电类型半导体之间。
第一晶体管的第一有源层可以包括氧化物半导体。
氧化物半导体可以包括铟镓锡氧化物(IGTO)或铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。
发光元件的长度可以在4μm至7μm的范围内,并且发光元件的纵横比可以在1.2至100的范围内。
第一晶体管可包括设置在第一有源层下方的第一栅电极。
第一有源层可以包括第一导电化区、第二导电化区和设置在第一导电化区和第二导电化区之间的沟道区。
第一晶体管还可以包括:第三栅电极,设置在第一有源层上;第一源电极,通过穿过设置在第三栅电极上的层间绝缘膜的第一接触孔连接到第一导电化区;以及第一漏电极,通过穿过层间绝缘膜的第二接触孔连接到第二导电化区。
第一有源层可以包括多晶硅。
第一晶体管还可包括设置在第一有源层下方的光阻挡层。
第二晶体管可以包括:第二栅电极,设置在第二有源层下方;第二源电极,连接到第二有源层的一侧;以及第二漏电极,连接到第二有源层的另一侧。
显示设备还可以包括被配置成发送数据信号的数据线,其中,该数据线还可以包括导电图案,该导电图案设置成与第二晶体管的第二源电极间隔开,并且连接到数据线和第二源电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980089216.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有减小的偏心度的克努曾效应隔热导管
- 下一篇:用于学习程序语义的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的