[发明专利]形成具有低加工损伤的高碳含量可流动电介质膜

权利要求书

1.一种制造电介质膜的方法，所述方法包括：

在衬底上沉积第一前体，所述第一前体包含含有六元环的环状碳硅氧烷基；

在所述衬底上沉积第二前体，所述第一前体和所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳和氢；以及

将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述多孔电介质膜包含至少30原子百分比的碳。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底是图案化衬底，并且所述多孔膜沉积在所述图案化衬底内的沟槽中。

4.如权利要求1所述的方法，还包括将所述预备膜暴露于含氮前体。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述含氮前体包括氨、一氧化二氮或其组合。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述多孔电介质膜还包含约1至约4原子百分比的氮。

7.如权利要求1所述的方法，其中多孔电介质膜包括约2.2至约2.8的k值。

8.一种制造电介质膜的方法，所述方法包括：

在衬底上沉积第一前体，所述第一前体具有以下结构：

以及

a、b、c、d、e和f各自独立地为烷基或烯基；

在所述衬底上沉积第二前体，所述第一前体和所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含线性碳硅氧烷；以及

将所述预备膜暴露于能量源以形成多孔电介质膜。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述烷基包括甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述烯基包括乙烯基、丙烯基、丁烯基或戊烯基。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述线性碳硅氧烷具有以下结构：

以及

g、h、i、j、k和l各自独立地为烷基、烯基或烷氧基。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述第二前体中碳与氧的比率大于1。

13.如权利要求8所述的方法，还包括将所述预备膜暴露于含氮前体。

14.一种制造电介质膜的方法，所述方法包括：

在基底上沉积第一前体，所述第一前体包含环状碳硅氧烷基；

在所述衬底上沉积第二前体，所述第一前体和所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含碳硅烷，所述碳硅烷具有大于3:1的碳与硅的比率；

将所述预备膜暴露于能量源以形成多孔电介质膜。

15.如权利要求14所述的方法，还包括将所述预备膜暴露于含氮前体。

16.如权利要求14所述的方法，其中多孔电介质膜包含至少30原子百分比的碳。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述第二前体中碳与硅的比率大于4:1。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述能量源包括热能、紫外光、微波能、电子束能、离子束能或催化物质。

19.一种多孔电介质膜，包含：

共价键合的网络，其包含硅原子、氧原子、碳原子和氢原子；

环状碳硅氧烷基；以及

桥接Si-CH₂-Si基团。