[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

N个(N是2以上的自然数)存储层；

驱动电路层；

多个第一布线；以及

多个第二布线，

其中，所述N个存储层层叠在所述驱动电路层上，

所述驱动电路层包括多个第一电路，

所述多个第一布线在所述N个存储层的层叠方向上延伸并设置为P行R列(P及R是1以上的自然数)的矩阵状，

所述多个第二布线在所述层叠方向上延伸并设置为P行Q列(P及Q是2以上的自然数)的矩阵状，

所述N个存储层各自包括：

设置为P行Q列的矩阵状的多个存储单元；

Q列的第三布线；

Q列的第四布线；以及

Q列的第五布线，

在第k个所述存储层中，第i行第2×s-1列的存储单元和第i行第2×s列的存储单元与第i行第s列的第一布线电连接，所述第i行第2×s-1列的存储单元与第i行第2×s-1列的第二布线、第2×s-1列的第三布线、第2×s-1列的第四布线及第2×s-1列的第五布线电连接，

并且，所述第一布线和所述第二布线与所述多个第一电路中的任一个电连接。

2.根据权利要求1所述的存储装置，

其中所述第i行第2×s-1列的存储单元包括第一晶体管、第二晶体管以及电容器，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的栅极及所述电容器的一个电极电连接，

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一布线电连接，

所述第一晶体管的栅极与所述第三布线电连接，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四布线电连接，

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二布线电连接，

并且所述电容器的另一个电极与所述第五布线电连接。

3.根据权利要求1或2所述的存储装置，

其中在所述驱动电路层与所述多个存储单元之间还包括功能层。

4.根据权利要求3所述的存储装置，

其中所述功能层包括多个第二电路，

并且所述第一布线和所述第二布线通过所述多个第二电路中的任一个与所述第一电路电连接。

5.根据权利要求2所述的存储装置，

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个在半导体中包含氧化物。

6.根据权利要求5所述的存储装置，

其中所述氧化物包含In和Zn中的一个或两个。

7.根据权利要求5所述的存储装置，

其中所述氧化物包含In、Ga及Zn。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的存储装置，

其中所述电路包括多个晶体管，

并且所述晶体管在半导体中包含硅。