[发明专利]用于光刻设备中的衬底保持器和器件制造方法在审
申请号: | 201980089961.5 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN113348543A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | J·J·马森;H·马夸特;A·斯克鲁德尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 设备 中的 衬底 保持 器件 制造 方法 | ||
1.一种衬底保持器,所述衬底保持器用于光刻设备中并且被配置用以支撑衬底,所述衬底保持器包括:
主体,所述主体具有主体表面;
多个突节,所述多个突节从所述主体表面突出,每个突节具有大致适形于支撑平面并且被配置用于支撑所述衬底的远端表面;和
边缘密封件,所述边缘密封件从所述主体表面突出并且围绕所述多个突节延伸,以便当衬底由所述衬底保持器保持时限制气流;其中:
所述边缘密封件与所述多个突节间隔开,以便限定介于所述边缘密封件与所述多个突节之间的间隙,所述间隙具有大于或等于所述多个突节的节距的约75%的间隙宽度;
所述多个突节包括第一组突节和第二组突节,所述第二组突节围绕所述第一组突节;和
其中,所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度大于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约150%。
2.根据权利要求1所述的衬底保持器,其中所述间隙宽度大于或等于所述多个突节的节距的约80%,或大于或等于所述多个突节的节距的约90%,期望地为所述多个突节的节距的约100%。
3.根据权利要求1或2所述的衬底保持器,其中所述间隙宽度小于或等于所述多个突节的节距的约125%。
4.根据权利要求1、2或3所述的衬底保持器,其中,所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度大于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约160%,期望地大于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约180%。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的衬底保持器,其中,所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度小于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约200%。
6.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器,其中,所述第二组突节中的每个突节在与所述支撑平面垂直的方向上的刚度大于所述第一组突节中的突节在与所述支撑平面垂直的方向上的平均刚度。
7.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器,其中所述第二组突节的密度大于所述第一组突节的密度。
8.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器,其中,所述第二组突节中的每个突节在与所述支撑平面平行的平面中具有比所述第一组突节的横截面更大的横截面积。
9.根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器,其中所述第一组突节中的至少一些突节和所述第二组突节被布置呈同心环,所述第二组突节形成所述同心环中的最外侧环。
10.根据权利要求9所述的衬底保持器,其中所述节距是所述第一组突节之中的最外侧环中的突节与所述第二组突节之间的间距。
11.一种用于将图案施加到衬底上的光刻设备,所述光刻设备包括根据前述权利要求中任一项所述的衬底保持器。
12.一种器件制造方法,包括:
通过降低根据权利要求1至10中任一项所述的衬底保持器的主体表面与衬底之间的压力,将所述衬底保持在所述衬底保持器上;和
将图案施加到所述衬底上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造