[发明专利]用于光刻设备中的衬底保持器和器件制造方法在审
申请号: | 201980089961.5 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN113348543A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | J·J·马森;H·马夸特;A·斯克鲁德尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 设备 中的 衬底 保持 器件 制造 方法 | ||
一种衬底保持器,包括:主体,所述主体具有主体表面;多个突节,所述多个突节从所述主体表面突出且被配置用于支撑所述衬底;以及边缘密封件,所述边缘密封件从所述主体表面突出;其中:所述边缘密封件与所述多个突节间隔开,以便限定介于它们之间的间隙,所述间隙具有大于或等于所述多个突节的节距的约75%的宽度;所述多个突节包括第一组突节和围绕所述第一组突节的第二组突节;并且其中,所述第二组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度大于或等于所述第一组突节在与所述支撑平面垂直的方向上的每单位面积的刚度的约150%。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年1月23日提交的欧洲申请号19153181.3的优先权,该申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。
技术领域
本发明涉及用于光刻设备中的衬底保持器并且涉及器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种被构造成将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备例如可以被用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
随着半导体制造过程持续进步,数十年来,在电路元件的尺寸已经持续地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加,这遵循着通常称为“莫尔定律”的趋势。为了跟上莫尔定律,半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。
在光刻设备中,待曝光的衬底(可以被称为生产衬底)被保持在衬底保持器(有时称为晶片台)上。所述衬底保持器可以是能够相对于投影系统移动的。所述衬底保持器通常包括由刚性材料制成的、且具有与待支撑的生产衬底类似的平面内尺寸的实心主体。实心主体的面向衬底的表面设置有多个突起(称为突节)。突节的远端表面符合平整平面并且支撑所述衬底。所述突节提供了若干优点:所述衬底保持器上或所述衬底上的污染物颗粒很可能落在突节之间,且因此不会导致衬底的变形;与使所述实心主体的表面平整相比,加工所述突节使它们的端部与平面相符更容易;并且可以调整突节的性质,例如用以控制所述衬底的夹持。
在制造器件的过程器件,尤其是当形成具有显著高度的结构(例如所谓的3D-NAND)时,生产衬底可能会变形。通常衬底可能变成“碗状”,即从上方看是凹的,或“伞状”,即从上方观察是凸的。出于本公开的目的,在其上形成器件结构的表面被称为顶表面。在这种情境中,“高度”是在与所述衬底的名义表面垂直的方向上测量的,该方向可可以被称为Z方向。碗状和伞状衬底当例如通过部分地排空介于所述衬底与所述衬底保持器之间的空间而被夹持到所述衬底保持器时在一定程度上变平。然而,如果变形量(通常通过所述衬底的表面上的最低点与所述衬底的表面上的最高点之间的高度差来测量)过大,则会出现各种问题。特别地,可能难以充分地夹持所述衬底,在所述衬底的装载和卸载期间可能存在突节的过度磨损并且所述衬底的表面中的残余高度变化可能太大以致无法在所述衬底的所有部分上(尤其是靠近于边缘处)实现正确的图案化。
发明内容
本发明的目的是提供一种衬底保持器,其能够在具有高变形程度的衬底上进行有效的图案形成。
在本发明的一个实施例中,提供了一种用于光刻设备中并且被配置用以支撑衬底的衬底保持器,所述衬底保持器包括:
主体,所述主体具有主体表面;
多个突节,所述多个突节从所述主体表面突出,每个突起具有大致适形于支撑平面并且被配置用于支撑所述衬底的远端表面;以及
边缘密封件,所述边缘密封件从所述主体表面突出并且围绕所述多个突节延伸,以便当衬底由所述衬底保持器保持时限制气流;其中:
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