[发明专利]在导电层上形成图案化的绝缘层的方法及使用所述方法制造的制品在审
申请号: | 201980090152.6 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN113348402A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | T·M·温 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00;H01L21/027;H01L21/00;H01L27/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张璐;乐洪咏 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 形成 图案 绝缘 方法 使用 制造 制品 | ||
1.用于在导电层上形成图案化的绝缘层的方法,所述方法包括:
通过激光烧蚀移除覆盖在掩模中的开口的周界上的绝缘层的环形区域,绝缘层的环形区域的内部位于与掩模中的开口对应的导电层的中心区域上,并且绝缘层的环形区域的外部位于掩模上,由此,导电层的中心区域的环形部分不被掩模和绝缘层中的每一者覆盖;以及
从导电层移除掩模,以移除设置在掩模上的过量的绝缘层部分,由此,绝缘层的剩余部分限定了设置在导电层的中心区域上的图案化的绝缘层,并且围绕导电层的中心区域的导电层的周围区域不被图案化的绝缘层覆盖。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
在移除了掩模后,来自掩模或绝缘层中的至少一者的残余物位于与绝缘层的环形区域对应的导电层的环形区域上;并且
所述方法包括:用激光照射导电层的环形区域以移除残余物。
3.如权利要求1所述的方法,其中,移除绝缘层的环形区域包括:通过光热烧蚀移除绝缘层的环形区域。
4.如权利要求1所述的方法,其中,移除绝缘层的环形区域包括:将绝缘层的环形区域暴露于光子能最多为约3.586eV的电磁辐射。
5.如权利要求1所述的方法,其中,移除绝缘层的环形区域包括:将绝缘层的环形区域暴露于波长至少为约345nm的电磁辐射。
6.如权利要求1所述的方法,其中,移除绝缘层的环形区域包括:利用激光以螺旋图案照射绝缘层的环形区域。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述螺旋图案包括约30个道至约40个道,并且节距为约2μm至约5μm。
8.如权利要求1所述的方法,其中,移除绝缘层的环形区域包括:用脉冲激光照射绝缘层的环形区域,所述脉冲激光的平均功率为至少约75mW,并且脉冲能为至少约0.31μJ。
9.如权利要求1所述的方法,其中,移除绝缘层的环形区域包括:用脉冲激光照射绝缘层的环形区域,所述脉冲激光的平均功率为约75mW至约100mW,脉冲重复频率为约250kHz至约750kHz,并且脉冲能为约0.31μJ至约0.41μJ。
10.如权利要求1所述的方法,其中,移除绝缘层的环形区域包括:用光斑尺寸为约5μm至约15μm的激光照射绝缘层的环形区域。
11.如权利要求1所述的方法,其中,图案化的绝缘层基本上不含片状物和条状物。
12.如权利要求1所述的方法,其中,所述掩模包括粘附于导电层的聚合物胶带。
13.如权利要求1所述的方法,其中:
导电层被设置在基材上,所述基材包括形成于其中的孔穴,并且导电层的中心区域至少部分被设置在孔穴内;
在从导电层移除掩模之前,使掩模中的开口与孔穴对齐;并且
导电层的中心区域的环形部分包围孔穴。
14.如权利要求13所述的方法,其中:
所述基材包括晶片;
所述孔穴包括多个孔穴;并且
移除绝缘层的环形区域包括:移除与多个孔穴对应的绝缘层的多个环形区域。
15.如权利要求1所述的方法,所述方法包括:
在移除绝缘层的环形区域之前,使用光化学烧蚀,沿着掩模中心区域的周界切断设置在导电层上的掩模;
移除掩模的中心区域以在掩模中形成开口并且露出导电层的中心区域,由此,围绕掩模中的开口的掩模的剩余区域覆盖对应的导电层的周围区域;并且
向导电层的中心区域和掩模的剩余区域施加绝缘层。
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