[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法、支撑片的制造方法、以及支撑片形成用层叠膜

权利要求书

1.一种支撑片的制造方法，其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：

(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层、及具有至少包含金属层的多层结构的支撑片形成用膜；

(B)通过将所述支撑片形成用膜单片化，而在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；以及

(C)从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序。

2.根据权利要求1所述的支撑片的制造方法，其在(B)工序与(C)工序之间，包括用照相机辨识所述支撑片的位置的工序。

3.一种半导体装置的制造方法，其为具有支石墓结构的半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述半导体装置的制造方法包括：

(D)在基板上配置第一芯片的工序；

(E)在所述基板上且所述第一芯片的周围配置通过权利要求1或2所述的制造方法而获得的多个支撑片的工序；

(F)准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片；以及

(G)通过在多个所述支撑片的表面上配置所述带黏合剂片的芯片来构筑支石墓结构的工序。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述支撑片形成用膜包含热固性树脂层，

所述半导体装置的制造方法在(G)工序之前，包括对所述支撑片形成用膜或所述支撑片进行加热的工序。

5.一种具有支石墓结构的半导体装置，其包括：

基板；

第一芯片，配置在所述基板上；

多个支撑片，配置在所述基板上且所述第一芯片的周围；以及

第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，

所述支撑片至少包含金属片。

6.一种支撑片形成用层叠膜，其用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述支撑片形成用层叠膜依次具备：

基材膜；

压敏胶黏层；以及

支撑片形成用膜，具有至少包含金属层的多层结构。

7.根据权利要求6所述的支撑片形成用层叠膜，其中，

所述支撑片形成用膜包含热固性树脂层。