[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法、支撑片的制造方法、以及支撑片形成用层叠膜在审
申请号: | 201980094030.4 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN113632225A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 桥本慎太郎;谷口纮平;矢羽田达也;尾崎義信 | 申请(专利权)人: | 昭和电工材料株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 支石墓 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 支撑 以及 形成 层叠 | ||
本发明公开了一种支撑片的制造方法,其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法,所述半导体装置包括:基板;第一芯片,配置于基板上;多个支撑片,配置于基板上且第一芯片的周围;以及第二芯片,由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片,所述支撑片的制造方法包括:(A)准备层叠膜的工序,所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层、及具有至少包含金属层的多层结构的支撑片形成用膜;(B)通过将支撑片形成用膜单片化,而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序;以及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序。
技术领域
本公开是涉及一种支撑片的制造方法,其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法,所述具有支石墓结构的半导体装置包括:基板;第一芯片,配置在基板上;多个支撑片,配置于基板上且第一芯片周围;以及第二芯片,由多个支撑片支撑并且配置成覆盖第一芯片。并且,本公开是涉及一种具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法、以及支撑片形成用层叠膜。另外,支石墓(dolmen)是石墓的一种,具备多个支柱石及载置在其上的板状的岩石。在具有支石墓结构的半导体装置中,支撑片相当于“支柱石”,第二芯片相当于“板状的岩石”。
背景技术
近年来,在半导体装置的领域,要求高集成、小型化以及高速化。作为半导体装置的一方式,在配置于基板上的控制器芯片上层叠半导体芯片的结构受到关注。例如专利文献1公开了一种半导体晶粒组件,该半导体晶粒组件包括控制器晶粒、以及在控制器晶粒上由支撑部件支撑的存储器晶粒。专利文献1的图1A所示的半导体组件100可谓是具有支石墓结构。即,半导体组件100包括封装基板102、配置在封装基板102表面上的控制器晶粒103、配置在控制器晶粒103上方的存储器晶粒106a、存储器晶粒106b、以及支撑存储器晶粒106a的支撑部件130a、支撑部件130b。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特表2017-515306号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
专利文献1公开了作为支撑部件(支撑片),能够使用硅等半导体材料,更具体而言,能够使用切割半导体晶圆而得到的半导体材料的断片(参考专利文献1的[0012]、[0014]及图2)。为了使用半导体芯片制造支石墓结构用的支撑片,与普通的半导体芯片的制造相同地,例如需要以下的各工序。
(1)在半导体晶圆上贴附背面研磨带(back grind tape)的工序;
(2)背面研磨半导体晶圆的工序;
(3)对切割环与配置在其中的背面研磨后的半导体晶圆贴附具有压敏胶黏层及黏合剂层的膜(切割晶粒接合(dicing/die-bonding)一体型膜)的工序;
(4)从半导体晶圆剥离背面研磨带的工序;
(5)将半导体晶圆单片化的工序;
(6)从压敏胶黏层拾取包含半导体芯片与黏合剂片的层叠体的支撑片的工序。
根据本发明者等人的研究,发现通过使用半导体芯片以外的材料(例如树脂材料),能够在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中简化制作支撑片的工序。然而,当使用用于制造普通半导体芯片的装置(例如,黏晶机(die bonder)等)从压敏胶黏层拾取支撑片时,有时无法有效率地拾取作为拾取对象的支撑片。其理由之一可列举:在从压敏胶黏层拾取支撑片的工序之前,黏晶机等装置所附带的照相机对支撑片的可见性不充分。
因此,本公开提供一种支撑片的制造方法,其有效率地制造基于照相机的可见性优异的支撑片。并且,本公开提供一种具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法、以及支撑片形成用层叠膜。
用于解决技术课题的手段
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