[发明专利]用于制造半导体的基座和设备在审
| 申请号： | 201980094355.2 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113597667A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 白承喆;金在宣 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈鑫;姚开丽 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 基座 设备 | ||
1.一种基座，所述基座包括：
主体，所述主体包括具有边缘形状的上表面；
凹部，所述凹部低于所述上表面并且包括下表面，所述下表面被所述上表面包围；以及
壁架，所述壁架在所述上表面和所述下表面之间延伸以支撑晶片，
其中，所述壁架具有朝向所述下表面的中心倾斜的形状，
其中，所述壁架的表面的平坦度具有介于10μm到50μm之间的偏差。
2.根据权利要求1所述的基座，其中，所述壁架具有与边缘形状相对应的形状，以及
其中，所述壁架包括接触区域，所述接触区域沿圆周方向与所述晶片接触。
3.根据权利要求2所述的基座，其中，所述接触区域的表面的平坦度具有介于10μm到50μm之间的偏差。
4.根据权利要求1所述的基座，其中，所述壁架的表面的平坦度具有介于10μm到45μm之间的偏差。
5.根据权利要求1所述的基座，其中，所述偏差由相对于参考点的(+)偏差和(-)偏差之和来确定。
6.根据权利要求5所述的基座，其中，所述参考点是所述偏差的1/2。
7.根据权利要求5所述的基座，其中，所述参考点是从所述凹部的下表面的最低点起具有第一高度的点。
8.根据权利要求5所述的基座，其中，所述参考点是从所述基座的下表面的最低点起具有第二高度的点。
9.根据权利要求5所述的基座，其中，所述(+)偏差比所述参考点高5μm到25μm。
10.根据权利要求5所述的基座，其中，所述(-)偏差比所述参考点低5μm到25μm。
11.一种用于在晶片上生长薄膜的半导体制造设备，所述半导体制造设备包括：
腔室，所述腔室具有内部空间；
可旋转的支撑件，所述可旋转的支撑件定位在所述腔体内；以及
基座，所述基座在所述支撑件上，
其中，所述基座包括：
主体，所述主体包括具有边缘形状的上表面；
凹部，所述凹部低于所述上表面并且包括下表面，所述下表面被所述上表面包围；以及
壁架，所述壁架在所述上表面和所述下表面之间延伸以支撑所述晶片，
其中，所述壁架具有朝向所述下表面的中心倾斜的形状，
其中，所述壁架的表面的平坦度具有介于10μm到50μm之间的偏差。
12.根据权利要求11所述的半导体制造设备，其中，所述壁架具有与边缘形状相对应的形状，
其中，所述壁架包括接触区域，所述接触区域沿所述晶片的圆周方向与所述晶片接触，以及
其中，所述接触区域的表面的平坦度具有介于10μm到50μm之间的偏差。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开矽得荣株式会社，未经爱思开矽得荣株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
