[发明专利]用于制造半导体的基座和设备

说明书

基座包括：主体，主体包括具有边缘形状的上表面；凹部，凹部包括底表面，底表面低于顶表面并且被顶表面包围；以及壁架，壁架在顶表面和底表面之间延伸以支撑晶片。壁架具有朝向底表面的中心倾斜的形状，并且壁架的表面的平坦度可以具有介于10μm到50μm之间的偏差。

技术领域

实施例涉及一种基座和一种半导体制造设备。

背景技术

外延晶片是在用作衬底的抛光晶片上通过化学气相沉积(CVD，chemical vapordeposition)在加热到1100度或更高温度的反应器中形成的薄单晶层的晶片。即，外延晶片是通过在掺杂有例如硼(B)的杂质且电阻率低的硅晶片上，气相生长掺杂较少杂质且具有高电阻率的硅外延层来制造。

外延晶片具有高聚集能力、低闩锁特性和在高温下的强抗滑移性，因此近年来被广泛用作用于制造LSI器件以及MOS器件的晶片。

这种外延晶片所需的质量项目是作为包括基底衬底和外延层的外延晶片表面项目的平坦度和颗粒污染水平，并且是外延层厚度均匀性、电阻率及电阻率均匀性、金属污染、堆垛层错、滑移位错等作为外延本身的项目。

其中，在外延晶片上制造半导体器件的过程中，平坦度对绝缘体上硅(SOI，silicon on insulator)晶片的光刻工艺、化学机械抛光(CMP，chemical mechanicalpolishing)工艺和键合工艺有很大影响。特别是边缘滚降(ERO，edge roll-off)(其中晶片的边缘被向上或向下推动)对光刻工艺中的散焦、CMP工艺中的抛光均匀性和SOI键合工艺中的键合缺陷有很大影响。随着晶片直径增大到300mm或更大，晶片边缘的平坦度在外延晶片的质量项目中越来越重要，因此有必要研究外延晶片的边缘平坦度畸变的原因。

特别地，当使用气体在晶片上形成外延层时，该气体不仅沉积在晶片的上表面上，而且沉积在晶片的下表面上，问题是沉积在晶片下表面上的薄膜进一步增加了外延晶片的BS ZDD(背面Z轴线二阶导数，BackSide Z-axis Double Derivative)的偏差。

发明内容

【技术问题】

实施例旨在解决上述及其他问题。

实施例的另一目的是提供一种具有新颖结构的基座和半导体制造设备。

实施例的另一目的是提供一种能够使外延晶片的BS ZDD的偏差最小化的基座和半导体制造设备。

实施例的另一目的是提供一种能够长时间制造无缺陷的半导体晶片的基座和半导体制造设备。

【技术解决方案】

根据实施例的一个方面，为了实现上述或其他目的，基座包括主体，主体包括具有边缘形状的上表面；凹部，凹部低于上表面并且包括下表面，下表面被上表面包围；以及壁架，壁架在上表面和下表面之间延伸以支撑晶片。壁架可以具有朝向下表面的中心倾斜的形状。壁架的表面的平坦度可以具有介于10μm到50μm之间的偏差。

根据实施例的另一方面，用于在晶片上生长薄膜的半导体制造设备包括：腔室，腔室具有内部空间；可旋转的支撑件，可旋转的支撑件定位在腔体内；以及基座，基座设置在支撑件上。基座可以包括：主体，主体包括具有边缘形状的上表面；凹部，凹部低于上表面并且包括下表面，下表面被上表面包围；以及壁架，壁架在上表面和下表面之间延伸以支撑晶片。壁架可以具有朝向下表面的中心倾斜的形状。壁架的表面的平坦度可以具有介于10μm到50μm之间的偏差。

【有益效果】

下面将描述根据实施例的基座和半导体制造设备的效果。

根据实施例中的至少一个实施例，通过加工基座的形状，使得壁架的表面的平坦度具有介于10μm到50μm之间的偏差，能够使外延晶片的BS ZDD的偏差最小化。