[发明专利]气化器和其制造方法在审
申请号: | 201980095416.7 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN113692641A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 铃木裕;斋藤隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社威尔康 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/448;C23C16/455;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气化 制造 方法 | ||
1.一种气化器,其通过对原料雾沫进行加热而使其气化,从而得到成膜用的气体原料,其中,
该气化器在由金属材料构成的主要部分的内部具有供所述原料雾沫流通的第1流路和供对所述原料雾沫进行加热的热介质流通的第2流路,
所述第1流路的截面的等面积圆当量直径为5mm以下,所述第2流路的截面的等面积圆当量直径为2mm以下,
在所述主要部分的内部,在1个第1流路和与其相邻存在的别的第1流路之间不存在除第2流路以外的空隙。
2.根据权利要求1所述的气化器,其中,
在所述主要部分的相对于所述原料雾沫流动的方向垂直的垂直方向的截面中,
在将所述热介质蜿蜒地流通的方向设为左右方向的情况下,所述第1流路的孔在左右方向上成列地排列,且成列的孔以在上下方向上构成层的方式配置,
在成列的孔的在上下方向上相邻的层之间存在所述第2流路,所述第2流路和所述第1流路不相连,所述第2流路以避开被从上下方向夹持的成列的孔的层中的所述第1流路的孔的方式在上下方向上蜿蜒。
3.根据权利要求1或2所述的气化器,其中,
该气化器构成为,在将所述第1流路在其长度方向上分成多个部位的情况下,能够针对每个所述部位来调整存在于所述第1流路的内部的所述原料雾沫的温度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的气化器,其中,
在将所述主要部分的形成有供所述原料雾沫流入的孔的面称作入侧面、且将所述主要部分的形成有供所述气体原料排出的孔的面称作出侧面的情况下,从所述入侧面朝向所述出侧面去,存在于所述主要部分的内部的所述第1流路的等面积圆当量直径逐渐变化。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的气化器,其中,
在所述第1流路沿铅垂方向配置的情况下,所述第2流路沿水平方向形成,所述第1流路和所述第2流路正交。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的气化器,其中,
该气化器构成为,在所述主要部分的外表面与所述第1流路的至少一部分之间具有间隙,并在所述主要部分的外表面与所述第2流路的至少一部分之间具有空隙,使得内部的热不易向外部放出。
7.一种气化器的制造方法,其用于得到权利要求1至6中任一项所述的气化器,其中,
该气化器的制造方法具备以下工序:
准备多张金属制板材,在金属制板材的主表面上形成成为所述第2流路的一部分的槽,还形成成为所述第1流路的一部分的通孔,该通孔从金属制板材的一个主表面朝向另一个主表面地贯通;以及
使所述金属制板材的主表面彼此密合,并利用扩散接合使所述金属制板材的主表面彼此结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造