[发明专利]气化器和其制造方法

说明书

本发明提供一种气化器，其能够在精密的温度管理下加热原料雾沫，因此能够得到被调整为期望的温度且温度的偏差非常少的气体原料，并且，几乎不会产生析出物。该气化器通过对原料雾沫进行加热而使其气化，从而得到成膜用的气体原料，其中，该气化器在由金属材料构成的主要部分的内部具有供所述原料雾沫流通的第1流路和供对所述原料雾沫进行加热的热介质流通的第2流路，所述第1流路的截面的等面积圆当量直径为5mm以下，所述第2流路的截面的等面积圆当量直径为2mm以下，在所述主要部分的内部，在1个第1流路和与其相邻存在的别的第1流路之间不存在除第2流路以外的空隙。

技术领域

本发明涉及气化器和其制造方法。

背景技术

作为使用气体原料来在对象物的表面形成膜的方法，例如举出CVD(Chemicalvapor deposition)法。例如在半导体器件的制造工艺中，通常，利用CVD法在晶圆上形成几个薄膜。有时，通过利用CVD法向形成在晶圆上的薄膜上吹送蚀刻气体来去除薄膜的一部分，并进行图案化。

作为用于获得在CVD法等中被用作薄膜材料或蚀刻材料的气体原料的手段，以往提出了几个方案。

例如在专利文献1中，记载有一种液体原料的气化方法，其利用鼓泡方式使贮存于液槽的液体原料气化，其特征在于，该液体原料的气化方法具有：利用预定流量的载气通过鼓泡使所述液槽内的所述液体原料气化而产生高浓度的原料气体的工序；使高浓度的所述原料气体与稀释用气体混合而使高浓度的所述原料气体稀释为预定浓度的所述原料气体的工序；以及进行流量控制以使成为预定浓度的所述原料气体达到预定流量，将被流量控制后的预定浓度的所述原料气体导入对被处理物进行预定处理的处理室的工序。并且，记载了：根据这样的方法，即使预定浓度的原料气体为低流量，也能够高精度地控制该预定浓度的原料气体并稳定地供给该原料气体，另外，通过应用于平坦化工艺中的CVD装置等，能够进行稳定的低浓度的掺杂，能够提高绝缘膜的可靠性。

例如在专利文献2中，记载有一种CVD用气化器，其特征在于，CVD用气化器具有：孔口管，其具有使两种以上的原料溶液呈微粒子状或雾状分散于载气中的一个气体通路；多个原料溶液用通路，该多个原料溶液用通路与所述孔口管的所述气体通路连通，将所述两种以上的原料溶液相互分离地供给；载气用通路，其将所述载气与所述两种以上的原料溶液分别相互分离地向所述孔口管供给；以及气化管，其使在所述孔口管中被分散的所述两种以上的原料溶液气化，将所述孔口管的气体喷出的喷出部被插入到所述气化管内，所述喷出部形成为越去向顶端侧外径越小的凸形状。并且，记载了：根据这样的CVD用气化器，能够提供如下的CVD用气化器，即，能够使多种原料溶液呈微粒子状或雾状分散在载气中，能够不易产生堵塞，能够长期精度良好地控制CVD用的原料溶液的流量。

例如在专利文献3中，记载有如下一种气化器，其特征在于，该气化器具备：气化室，其被加热器加热；一次过滤器，其配置于所述气化室的下端部，且被加热器加热；液体原料供给部，其使被流量调节后的液体原料从所述气化室的上方朝向所述一次过滤器滴下；载气导入路径，其将载气向所述一次过滤器的下表面导入；以及原料导出路径，其用于将所述载气与被气化后的所述液体原料的混合气体从所述气化室的上部排出。并且，记载了：根据这样的气化器，能够利用一次过滤器使液体原料气化的同时雾沫化，进而能够在气化室中使雾沫气化，因此，与只单一加热的以往的气化器相比，能发挥较高的气化效率，由于气化效率较高，即使在较低的温度下也能够使液体原料气化，故即使是热分解性较高的液体原料也能够防止气化器内部的热分解生成物以及聚合物的堆积与流路的堵塞，同时能够使大量的液体原料气化。