[发明专利]导电性构件的制造方法有效
申请号: | 201980095770.X | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN113728401B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 吉田友秀;武藤功甫 | 申请(专利权)人: | 花王株式会社 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;C09D11/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 构件 制造 方法 | ||
1.一种导电性构件的制造方法,其中,
将含有金属微粒分散体的导电性油墨涂布于基材上,在常温环境下形成导电性图像而得到导电性构件,
该金属微粒分散体含有用聚合物B分散的金属微粒a,
该聚合物B的玻璃化转变温度为形成导电性图像的温度以下,
该基材的表面为多孔质。
2.根据权利要求1所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述聚合物B为包含源自(甲基)丙烯酸的结构单元及源自(甲基)丙烯酸的聚亚烷基二醇单酯的结构单元的水溶性乙烯基聚合物。
3.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述聚合物B的玻璃化转变温度为-100℃以上且10℃以下。
4.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
作为所述聚合物B相对于所述金属微粒分散体中的所述聚合物B和金属的合计量的质量比的聚合物B/(聚合物B+金属)为0.01以上且0.3以下。
5.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述导电性油墨中的金属的含量为1质量%以上且30质量%以下。
6.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述导电性油墨中的金属的含量为5质量%以上且20质量%以下。
7.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述导电性油墨含有羟基酮。
8.根据权利要求7所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述羟基酮为单羟基丙酮。
9.根据权利要求7所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述导电性油墨中的所述羟基酮的含量为0.05质量%以上且10质量%以下。
10.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述导电性油墨含有碳原子数为1以上且24以下的单羧酸。
11.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述导电性油墨含有碳原子数为1以上且6以下的单羧酸。
12.根据权利要求10所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述单羧酸为乙酸。
13.根据权利要求10所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述导电性油墨中的单羧酸的含量为0.05质量%以上且10质量%以下。
14.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
基材表面的多孔质的平均孔径为10nm以上且200nm以下。
15.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
基材表面的多孔质的平均孔径为30nm以上且100nm以下。
16.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述基材为在支撑体的表面形成有无机微粒含有层的基材。
17.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述基材表面的8°光泽值为20以上且50以下。
18.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,
所述基材表面的8°光泽值为20以上且40以下。
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