[发明专利]导电性构件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980095770.X 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN113728401B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 吉田友秀;武藤功甫 申请(专利权)人: 花王株式会社
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;C09D11/52
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电性 构件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种导电性构件的制造方法,其中,

将含有金属微粒分散体的导电性油墨涂布于基材上,在常温环境下形成导电性图像而得到导电性构件,

该金属微粒分散体含有用聚合物B分散的金属微粒a,

该聚合物B的玻璃化转变温度为形成导电性图像的温度以下,

该基材的表面为多孔质。

2.根据权利要求1所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述聚合物B为包含源自(甲基)丙烯酸的结构单元及源自(甲基)丙烯酸的聚亚烷基二醇单酯的结构单元的水溶性乙烯基聚合物。

3.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述聚合物B的玻璃化转变温度为-100℃以上且10℃以下。

4.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

作为所述聚合物B相对于所述金属微粒分散体中的所述聚合物B和金属的合计量的质量比的聚合物B/(聚合物B+金属)为0.01以上且0.3以下。

5.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述导电性油墨中的金属的含量为1质量%以上且30质量%以下。

6.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述导电性油墨中的金属的含量为5质量%以上且20质量%以下。

7.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述导电性油墨含有羟基酮。

8.根据权利要求7所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述羟基酮为单羟基丙酮。

9.根据权利要求7所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述导电性油墨中的所述羟基酮的含量为0.05质量%以上且10质量%以下。

10.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述导电性油墨含有碳原子数为1以上且24以下的单羧酸。

11.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述导电性油墨含有碳原子数为1以上且6以下的单羧酸。

12.根据权利要求10所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述单羧酸为乙酸。

13.根据权利要求10所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述导电性油墨中的单羧酸的含量为0.05质量%以上且10质量%以下。

14.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

基材表面的多孔质的平均孔径为10nm以上且200nm以下。

15.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

基材表面的多孔质的平均孔径为30nm以上且100nm以下。

16.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述基材为在支撑体的表面形成有无机微粒含有层的基材。

17.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述基材表面的8°光泽值为20以上且50以下。

18.根据权利要求1或2所述的导电性构件的制造方法,其中,

所述基材表面的8°光泽值为20以上且40以下。

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