[发明专利]一种半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次制备沟道层、势垒层及p型半导体层；

在所述p型半导体层上方的栅极区域制备介质层；以及

在所述p型半导体层上方的栅极区域以外的区域制备n型半导体层；

激活所述介质层覆盖的p型半导体层中的p型杂质，形成激活区域。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：去除介质层，在p型半导体层的激活区域的上方制备栅极。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述介质层通过湿法刻蚀的方法来去除。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在源极区域和漏极区域制备源极、漏极，其中所述源极、漏极贯穿n型半导体层、p型半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，其中，所述形成激活区域的方法包括对半导体结构进行退火。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，其中，所述退火包括在无氢环境进行。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述介质层包括SiO₂、Al₂O₃中的至少一种。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述p型半导体层、n型半导体层为GaN基半导体。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成所述沟道层之前，所述制备方法还包括：

依次在所述衬底形成成核层、缓冲层。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述p型半导体层上方的栅极区域制备介质层，包括：

在所述p型半导体层上形成介质层；以及

刻蚀所述p型半导体层上方的栅极区域以外区域的介质层。