[发明专利]用于片上系统装置的存储器组件有效
申请号: | 201980096918.1 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN113906505B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | A·特罗亚;A·蒙代洛 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11C5/04;H10B41/40;H10B43/40 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 系统 装置 存储器 组件 | ||
1.一种用于片上系统SoC结构的存储器组件,其包括:
存储器阵列;
多个互连焊盘,其位于所述存储器组件的表面上;
逻辑部分,其用于与所述存储器阵列和所述SoC结构交互,其中,所述存储器阵列的存储器组件是耦合到所述SoC结构并与所述SoC结构部分重叠的结构上独立的半导体装置;以及
读出放大器,其用于读取耦合到直接存储器存取配置的所述SoC结构的所述存储器阵列。
2.根据权利要求1所述的存储器组件,其中,所述SoC结构以及与所述SoC结构部分重叠的所述存储器组件通过与位于所述存储器组件的所述表面上的所述多个互连焊盘相对应的连接柱互连来耦合。
3.根据权利要求1所述的存储器组件,其中,所述SoC结构以及与所述SoC结构部分重叠的所述存储器组件通过倒装芯片技术耦合。
4.根据权利要求1所述的存储器组件,其中,所述SoC结构以及与所述SoC结构部分重叠的所述存储器组件以面对面的方式耦合。
5.根据权利要求1所述的存储器组件,其中,所述存储器组件的重叠区域大于专用于所述存储器组件内的互连的所述SoC结构的半导体区域。
6.根据权利要求1所述的存储器组件,其中,位于所述存储器组件的所述表面上的所述多个互连焊盘的布局对应于与所述SoC结构相关联的对应且对齐的互连焊盘的布局。
7.根据权利要求1所述的存储器组件,其中:
所述存储器阵列包括非易失性存储器单元;以及
所述存储器阵列的读出放大器以所述直接存储器存取配置连接到所述SoC结构。
8.一种存储器装置,其包括:
存储器阵列;
所述存储器阵列的逻辑部分,其用于与片上系统SoC结构交互;
修改有限状态机或RISC逻辑部分,其用于处理与相关联的SoC结构通信的存储器接口;
多个互连焊盘,其位于所述存储器装置的表面上,以及
电路逻辑,其集成在所述存储器装置中以用于通过通信通道与所述SoC结构通信。
9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中,将所述存储器装置的所述表面翻转使得其顶面面朝下,并且将其与所述SoC结构的对应的匹配焊盘进行焊盘与焊盘对齐。
10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中,使用柱、凸球、以倒装芯片技术或以面对面方式将所述存储器装置的所述互连焊盘耦合到所述SoC结构的所述对应的匹配焊盘。
11.根据权利要求10所述的存储器装置,其中,所述SoC结构与所述存储器装置之间的耦合包括互连各自的焊盘、或者使用在保持所述焊盘对齐的耦合结构中将彼此面对的引脚端子、或者两者。
12.根据权利要求8所述的存储器装置,其中,所述存储器装置是由SoC结构支持的结构上独立的上层。
13.根据权利要求8所述的存储器装置,其中,所述存储器装置的重叠区域大于专用于所述存储器装置的所述多个互连焊盘的所述SoC结构的半导体区域。
14.根据权利要求8所述的存储器装置,其包含读出放大器以用于读取以直接存储器存取配置连接到所述SoC结构的所述存储器阵列。
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