[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其包括重复进行下述(a)和(b)的工序：

(a)执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对所述衬底进行处理；和，

(b)执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容所述衬底的经加热的状态的所述处理容器内供给清洁气体，并对所述处理容器内进行清洁，

将(b)结束后至开始(a)的时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还包括：(c)在不向未收容所述衬底的经加热的状态的所述处理容器内供给所述处理气体及所述清洁气体中的任意的情况下，维持所述处理容器内经加热的状态的工序，

在(b)结束后至开始(a)的期间，不实施(c)。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)结束后至开始(b)的期间，实施(c)。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)结束后至开始(b)的期间，不实施(c)。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)刚结束后即开始(a)。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)结束后，经过规定时间，然后开始(b)。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)刚结束后即开始(b)。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，使(b)结束后至开始(a)的时间为0小时。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，使(a)结束后至开始(b)的时间为0小时。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中的所述处理容器内的最大温度与(b)中的所述处理容器内的最大温度不同。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，(b)中的所述处理容器内的最大温度高于(a)中的所述处理容器内的最大温度。

12.如权利要求10或11所述的半导体器件的制造方法，其中，(b)包括：

(b1)向设为第1温度的所述处理容器内供给所述清洁气体的工序；

(b2)使所述处理容器内从所述第1温度升温至第2温度的工序；和，

(b3)使所述处理容器内从所述第2温度降温至(a)中的处理温度的工序。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1温度低于(a)中的所述处理温度，所述第2温度高于(a)中的所述处理温度。

14.如权利要求12或13所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b2)中，将非活性气体供给至所述处理容器内，并从所述处理容器内排气。

15.如权利要求1～14中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述清洁气体为含卤素气体。

16.如权利要求1～15中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，进行在所述衬底上形成膜的处理。

17.如权利要求1～16中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在重复进行(a)和(b)的工序中，将进行1次(a)的工序、和进行1次(b)的工序交替地重复进行。