[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在审
| 申请号： | 201980097563.8 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113994457A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 渡桥由悟;女川靖浩;村上孝太郎;芳贺健佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 程序 | ||
具有重复进行下述(a)和(b)的工序：(a)执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对衬底进行处理；和，(b)执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容衬底的经加热的状态的处理容器内供给清洁气体，并对处理容器内进行清洁，并且，将(b)结束后至开始(a)的时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。
技术领域
本公开文本涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。
背景技术
作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时重复进行下述工序：向收容有衬底的处理容器内供给处理气体而对衬底进行处理的工序；和，向未收容衬底的处理容器内供给清洁气体而对处理容器内进行清洁的工序(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-222805号公报
发明内容
发明要解决的课题
本公开文本的目的在于提高形成在衬底上的膜的特性。
用于解决课题的手段
根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其包括重复进行下述(a)和(b)的工序：
(a)执行工艺制程的工序，所述工艺制程中，向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体，并对上述衬底进行处理；
(b)执行清洁制程的工序，所述清洁制程中，向未收容上述衬底的经加热的状态的上述处理容器内供给清洁气体，并对上述处理容器内进行清洁，
将(b)结束后至开始(a)的时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。
发明的效果
根据本公开文本，能够提高形成在衬底上的膜的特性。
附图说明
图1为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且为以纵向剖视图示出处理炉部分的图。
图2为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且为以图1的A-A线剖视图示出处理炉部分的图。
图3为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，并且是以框图示出控制器的控制系统的图。
图4的(a)为示意性地示出本公开文本的一个方式中的衬底处理顺序的图，图4的(b)为示意性地示出参考例中的衬底处理顺序的图。
具体实施方式
本公开文本的一个方式
以下，针对本公开文本的一个方式，主要使用图1～图4的(a)进行说明。
(1)衬底处理装置的构成
如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调节部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承于保持板而被垂直组装。加热器207也作为利用热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
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