[发明专利]半导体激光装置

说明书

本发明的半导体激光装置具备：作为基体材料的管座(1)；LD次基台(2)，设置有表面电极(20a、20b)，并与管座(1)的表面接合；LD芯片(4)，配置于表面电极(20a)，并与表面电极(20b)连接；以及引线(3a、3b)，经由设置于LD次基台(2)的通孔(2c、2d)内的埋入层(21a、21b)而与表面电极(20a、20b)电连接，并通过封接部件(10a、10b)固定于设置于管座(1)的孔(1a、1b)，在管座(1)与LD次基台(2)的接合面侧的、封接部(10a、10b)或LD次基台(2)的引线(3a、3b)与埋入层(21a、21b)的连接部的周围设置有槽部(10ad、10bd)，由此得到良好的调制光波形。

技术领域

本申请涉及半导体激光装置。

背景技术

在以往的半导体激光装置中，激光二极管(Laser Diode：以下简称为LD)芯片安装在从管座(stem)的金属基体垂直地突出的突起部的散热片(例如，参照专利文献1)。另外，已知在管座上具备平行地放射激光的半导体激光元件和次基台的半导体激光装置(例如，参照专利文献2)等。

以往的半导体激光装置被输入用于驱动LD芯片的DC(Direct Current)偏压和调制信号。调制信号经由引线、金线以及次基台而输入到LD芯片，LD芯片以追随矩形的调制信号的接通断开的方式接通断开激光。此时，即使输入于LD芯片的信号是理想的矩形波，由于引线以及金属线的寄生电感而导致阻抗不匹配变大，从LD芯片得到的激光的调制光波形的上升时间以及下降时间变长，导致波形劣化。若波形的劣化严重，则在接收侧无法区分光信号的接通断开，而使信号的解调变得困难。特别是，调制频率越高阻抗不匹配的影响越大，光波形越大幅劣化。另一方面，虽然光调制度受半导体激光芯片的缓和振动的影响，而在频率fr变大，但在比其更高调制频率下，光调制度变小。若将光调制度比低频调制时降低1.5dB时的频率设为fc，将调制光波形从10％上升到90％所需的时间设为tr，将从90％下降到10％所需的时间设为tf，则fc、tr以及tf的关系由tr＝tf＝0.35/fc赋予，由此fc越大tr、tf越小，能够得到良好的调制光波形。为了改善调制光波形，降低寄生电感来抑制阻抗不匹配，提高fc是有效的。

专利文献1：日本特开2004-342882号公报(段落0026，图1)

专利文献2：日本特开2008-198934号公报(段落0022，图1)

为了减少寄生电感，有效的是缩短引线以及金线，但在专利文献1以及专利文献2所示的以往构造中，需要将引线以及金属线延伸到芯片位置，而存在长引线以及金线使调制光波形劣化的问题。另外，若使LD芯片的位置接近管座上表面则能够缩短引线以及金属线，但在使用通常的半导体激光装置的组装装置的情况下，由于在安装芯片时芯片吸附用夹头与管座干扰，所以存在缺乏实现性的问题。

发明内容

本申请公开了用于解决上述那样的课题的技术，其目的在于提供一种能够减少金属线的使用，得到良好的调制光波形，并且芯片的安装容易的半导体激光装置。

本申请所公开的半导体激光装置的特征在于，具备：作为基体的管座；次基台，在表面设置有电极，并与上述管座接合；半导体激光元件，与上述电极接合；以及引线，与上述电极连接，并被封接部件固定于设置于上述管座的孔，在上述管座与上述次基台的接合面侧的、上述封接部件或上述次基台的上述引线的周围设置有槽部。

根据本申请，通过减少金属线的使用，能够减少寄生电感，而得到良好的调制光波形，并且能够容易地安装芯片。

附图说明

图1是表示实施方式1的半导体激光装置的结构的俯视图。

图2是表示实施方式1的半导体激光装置的结构的剖视图。

图3是表示实施方式1的半导体激光装置的结构的剖视图。

图4是用于说明实施方式1的半导体激光装置所使用的次基台的安装工序的图。