[发明专利]外延生长装置的工艺腔室

权利要求书

1.一种反应处理半导体基板的外延生长装置的工艺腔室，

具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在所述工艺腔室中，所述基座上载置所述半导体基板；

指板晶圆升降机，配置在所述基座的下方并且被构成为可在所述轴构件的轴向方向上移动；

升降销，随着所述指板晶圆升降机接近所述基座，使所述半导体基板从所述基座的上表面向上位移；

所述基座中形成有所述升降销穿过的贯通孔。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于：

所述指板晶圆升降机具有沿上下方向延伸的支撑管，及从支撑管的上端部沿径向延伸的多个支撑臂，

所述支撑臂的径向方向上的外端部形成有与所述升降销沿上下方向对置的顶端部，

所述顶端部的周方向的尺寸大于所述支撑臂的除了所述顶端部之外的部分。

3.根据权利要求1或2所述的工艺腔室，其特征在于：

所述基座的上表面的除了外周缘部以外的部分，在载置所述半导体基板的同时，形成比所述外周缘部凹陷的载置面，

所述贯通孔形成在所述载置面的径向外端部处。