[发明专利]外延生长装置的工艺腔室

说明书

一种外延生长装置的工艺腔室，其是反应处理半导体基板的工艺腔室，具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在所述工艺腔室中，所述基座上载置所述半导体基板；指板晶圆升降机，配置在所述基座的下方并且被构成为可在所述轴构件的轴向方向上移动；升降销，随着所述指板晶圆升降机接近所述基座，使所述半导体基板从所述基座的上表面向上方位移；所述基座中形成有所述升降销穿过的贯通孔。

技术领域

本发明涉及外延生长装置的工艺腔室。

背景技术

以往，在半导体制造装置中，已知有通过热处理等在半导体基板上进行成膜的工艺腔室。

作为这样的工艺腔室，在专利文献1中公开了具有用于取出半导体基板的可上升的基座的构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-222693号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1记载的发明中，由于基座上升，因此存在工艺腔室整体在上下方向上增大的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制上下方向增大的外延生长装置的工艺腔室。

解决课题的技术方案

为解决上述课题，本发明的外延生长装置的工艺腔室为反应处理半导体基板的工艺腔室，其具有：基座，由仅支撑径向中心部且沿上下方向延伸的轴构件支撑并配置在工艺腔室中，基座上载置半导体基板；指板晶圆升降机，配置在基座的下方并且被构成为可在轴构件的轴向方向上移动；升降销，随着指板晶圆升降机接近基座，使半导体基板从基座的上表面向上方位移。基座中形成有升降销穿过的贯通孔。

另外，指板晶圆升降机具有沿上下方向延伸的支撑管，及从支撑管的上端部沿径向延伸的多个支撑臂。支撑臂的径向方向上的外端部形成有与升降销沿上下方向对置的顶端部。顶端部的周方向的尺寸可以大于支撑臂的除了顶端部之外的部分。

另外，基座的上表面的除了外周缘部以外的部分，在载置半导体基板的同时，形成比外周缘部凹陷的载置面，贯通孔可以形成在载置面上沿径向方向的外端部处。

发明的效果

根据本发明的外延生长装置的工艺腔室，具有仅支撑径向中心部的基座。然后，通过提升穿过基座的贯通孔的升降销，可以使半导体基板向上方位移。

因此，与例如将基座大幅升高以将半导体基板向上方位移的构成相比，可以减小在上下方向上位移部分的构成，抑制工艺腔室的上下方向的增大。

附图说明

图1是根据本发明的一种实施方式的具备外延生长装置的工艺腔室的半导体制造装置的纵断面图。

图2是在图1所示的工艺腔室中，(a)是显示基座单元的立体图，(b)是(a)中的基座的透视图。

图3(a)是基座单元的正视图，(b)是指板晶圆升降机的平面图。

图4是表示将半导体基板运送到图1所示的工艺腔室内的工序图。

图5是表示在图1所示的工艺腔室中反应处理半导体基板的工序图。

图6是表示从图1所示的工艺腔室内取出半导体基板的工序图。

具体实施方式

其次，参照附图对根据本发明的实施方式的外延生长装置的工艺腔室2进行说明。

本实施方式的工艺腔室2是在半导体制造装置1中，进行通过热处理等在半导体基板S上成膜的反应处理的腔室。首先，描述半导体制造装置1的构成。