[发明专利]数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法在审
申请号: | 201980098237.9 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN114097066A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | S·卡茨;R·弗克维奇;A·戈洛塔斯万;R·约哈南 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 驱动 错位 参数 配置 测量 系统 方法 | ||
1.一种数据驱动的错位参数配置与测量的方法,所述方法包括:
使用多个测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟,由此产生所述至少一个多层半导体装置的模拟数据;
识别选自所述多个测量参数配置集中的至少一个经推荐测量参数配置集;
提供选自所述一批多层半导体装置中的多层半导体装置;
将所述至少一个经推荐测量参数配置集提供到具有多个可能测量参数配置集的错位计量工具;
使用所述至少一个经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置,由此产生所述至少一个多层半导体装置的测量数据;
其后识别最终经推荐测量参数配置集;及
使用所述最终经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的错位。
2.根据权利要求1所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且其中基于所述至少一个多层半导体装置的所述测量数据的最佳结果而识别所述最终经推荐测量参数配置集。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且其中所述多个测量模拟是计量目标设计模拟。
4.根据权利要求3所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且其中所述至少一个经推荐测量参数配置集是基于以下各项中的至少一者而识别:
不准确性;
质量优值;
聚焦敏感性;
吞吐量;及
对比精确度。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且其中所述测量参数配置集包括以下各项中的至少一者:
轴线,沿着所述轴线测量错位;
计量目标的所关注区域;
用于错位测量中的数值孔径;
用于错位测量中的光的偏振;
用于错位测量中的光的波长;
用于错位测量中的光的波长的带宽;
用于错位测量中的光的强度;
用于错位测量中的焦点深度;及
用于错位测量中的变迹器。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且其中所述错位计量工具是成像错位计量工具。
7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且其中所述错位计量工具是散射测量错位计量工具。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且所述方法还包括:
产生模拟信号数据;及
将所述模拟信号数据与所述至少一个多层半导体装置的所述测量数据进行比较。
9.根据权利要求8所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且其中所述模拟信号数据包含以下各项中的至少一者:
对比度;
敏感性;及
光瞳图像。
10.根据权利要求8或权利要求9所述的数据驱动的错位参数配置与测量的方法,且所述方法还包括:
指示所述测量参数配置集中的哪一者以及所述多层半导体装置的哪些部分发生所述模拟信号数据与所述测量数据之间的不匹配;及
指示所述不匹配的可能根本原因。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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