[发明专利]数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法

说明书

本发明涉及一种数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法，所述方法包含：使用多个测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟，由此产生所述至少一个多层半导体装置的模拟数据；识别选自所述多个测量参数配置集中的至少一个经推荐测量参数配置集；提供选自所述一批多层半导体装置中的多层半导体装置；将所述至少一个经推荐测量参数配置集提供到具有多个可能测量参数配置集的错位计量工具；使用所述至少一个经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置，由此产生所述至少一个多层半导体装置的测量数据；其后识别最终经推荐测量参数配置集；及使用所述最终经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的错位。

相关申请案的交叉参考

特此参考以下专利，所述专利涉及本申请案的标的物，所述专利的公开内容特此以引用方式并入：

标题为“SCATTEROMETRY METROLOGY TARGET DESIGN OPTIMIZATION”且于2012年7月3日发布的申请人的美国专利第8,214,771号；及

标题为“METROLOGY TARGET IDENTIFICATION,DESIGN AND VERIFICATION”且于2018年3月6日发布的申请人的美国专利第9,910,953号。

技术领域

本发明一般来说涉及半导体装置的制造中的错位测量。

背景技术

已知用于半导体装置的制造中的错位测量的各种方法及系统。

发明内容

本发明力求提供用于半导体装置的制造中的错位测量的经改进方法及系统。

因此，根据本发明的优选实施例提供一种数据驱动的错位参数配置与测量的方法，所述方法包含：使用多个测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟，由此产生所述至少一个多层半导体装置的模拟数据；识别选自所述多个测量参数配置集中的至少一个经推荐测量参数配置集；提供选自所述一批多层半导体装置中的多层半导体装置；将所述至少一个经推荐测量参数配置集提供到具有多个可能测量参数配置集的错位计量工具；使用所述至少一个经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置，由此产生所述至少一个多层半导体装置的测量数据；其后识别最终经推荐测量参数配置集；及使用所述最终经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的错位。

根据本发明的优选实施例，基于所述至少一个多层半导体装置的所述测量数据的最佳结果而识别所述最终经推荐测量参数配置集。

优选地，所述多个测量模拟是计量目标设计模拟。优选地，基于不准确性、质量优值(Qmerit)、聚焦敏感性、吞吐量及对比精确度中的至少一者而识别所述至少一个经推荐测量参数配置集。

根据本发明的优选实施例，所述测量参数配置集包含以下各项中的至少一者：轴线，沿着所述轴线测量错位；计量目标的所关注区域；用于错位测量中的数值孔径；用于错位测量中的光的偏振；用于错位测量中的光的波长；用于错位测量中的光的波长的带宽；用于错位测量中的光的强度；用于错位测量中的焦点深度；及用于错位测量中的变迹器。

根据本发明的优选实施例，所述错位计量工具是成像错位计量工具。另一选择是，根据本发明的优选实施例，所述错位计量工具是散射测量错位计量工具。

根据本发明的优选实施例，所述数据驱动的错位参数配置与测量方法还包含：产生模拟信号数据；及将所述模拟信号数据与所述至少一个多层半导体装置的所述测量数据进行比较。