[发明专利]用于暗噪声补偿的放大器

权利要求书

1.一种放大器，其包括：

运算放大器，该运算放大器被配置为在其输入端接收第一电流；

第一MOS(金属氧化物半导体)电容器，其连接到所述运算放大器的所述输入端和输出端。

2.如权利要求1所述的放大器，其进一步包括可调电流源，该可调电流源将第二电流馈送到所述输入端。

3.如权利要求1所述的放大器，其中所述第一MOS电容器是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，该MOSFET的源极短接到其漏极。

4.如权利要求3所述的放大器，其中所述源极和所述漏极连接到所述运算放大器的所述输出端，并且所述MOSFET的栅极连接到所述运算放大器的所述输入端。

5.如权利要求3所述的放大器，其中所述源极和所述漏极连接到所述运算放大器的所述输入端，而所述MOSFET的栅极连接到所述运算放大器的所述输出端。

6.如权利要求2所述的放大器，其中所述可调节电流源可通过电信号来调节。

7.如权利要求6所述的放大器，其中所述可调电流源包括第二MOS电容器。

8.如权利要求7所述的放大器，其中所述可调电流源包括与所述第二MOS电容器并联的第三MOS电容器；其中所述第二MOS电容器的栅极连接至所述输入端并且所述第三MOS电容器的本体触点连接至所述输入端；其中所述第三MOS电容器的栅极连接到所述运算放大器的所述输入端并且所述第三MOS电容器的本体触点连接到所述电信号。

9.如权利要求2所述的放大器，其中所述第一电流包括辐射检测器的暗噪声；其中所述可调电流源被配置为补偿所述暗噪声。

10.如权利要求6所述的放大器，其进一步包括处理器，该处理器被配置为基于所述输出端的电平来产生所述电信号。

11.如权利要求10所述的放大器，其中所述处理器被配置为进一步基于比较器的输出来产生所述电信号。

12.如权利要求10所述的放大器，其中所述处理器包括电荷泵。

13.如权利要求12所述的放大器，其中所述电荷泵被配置为通过时钟信号来接通和断开。

14.一种辐射检测器，其包括：

辐射吸收层，其包括电极；

如权利要求1所述的放大器，其中所述第一电流来自所述电极，并且所述放大器被配置为基于所述第一电流在所述输出端产生电压；

第一电压比较器，其被配置为将所述电极的电压与第一阈值进行比较；

第二电压比较器，其被配置为将所述电压与第二阈值进行比较；

计数器，其被配置为记录被所述辐射吸收层吸收的若干辐射粒子；

控制器；

其中，所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；

其中，所述控制器被配置为在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；

其中，所述控制器被配置为，如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值，则使所述计数器记录的数目增加一。

15.如权利要求14所述的辐射检测器，其中所述辐射是X射线。

16.如权利要求14所述的辐射检测器，其中所述控制器被配置为在所述时间延迟的开始或期满时启动所述第二电压比较器。

17.如权利要求14所述的辐射检测器，其进一步包括电压表，其中所述控制器被配置为在所述时间延迟期满后使所述电压表测量所述电压。