[发明专利]用于暗噪声补偿的放大器

说明书

本文公开了一种放大器(309)，其包括：运算放大器(391)，该运算放大器(391)被配置为在其输入端接收第一电流；第一MOS(金属氧化物半导体)电容器(393)，其连接到所述运算放大器(391)的所述输入端和输出端。

【背景技术】

辐射检测器是一种测量辐射特性的设备。所述特性的示例可包括辐射的强度、相位和偏振的空间分布。辐射可以是与对象相互作用的辐射。例如，由辐射检测器测量的辐射可以是已经从对象穿透或从对象反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，比如，红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可以是其他类型，比如，α射线和β射线。

一种类型的辐射检测器是基于辐射和半导体之间的相互作用。例如，该类型的辐射检测器可具有吸收辐射并产生载流子(例如，电子和空穴)的半导体层和用于检测所述载流子的电路。

辐射检测器可受到暗噪声(例如，暗电流)的不利影响。即使没有辐射检测器被配置来检测的辐射入射到所述辐射检测器上，所述辐射检测器中的暗噪声也包括物理效应。隔离或减少所述暗噪声对所述辐射检测器检测到的整体信号的影响，有助于使所述辐射检测器更有用。减少所述暗噪声影响的一种方法是通过确定和消除所述辐射检测器的信号测量电路中的暗噪声贡献来补偿所述暗噪声。

【发明内容】

本文公开一种放大器，其包括：运算放大器，该运算放大器被配置为在其输入端接收第一电流；第一MOS电容器，其连接到所述运算放大器的所述输入端和输出端。

根据实施例，所述放大器进一步包括可调电流源，该可调电流源将第二电流馈送到所述输入端。

根据实施例，所述第一MOS电容器是MOSFET，该MOSFET的源极短接到其漏极。

根据实施例，所述源极和所述漏极连接到所述运算放大器的所述输出端，并且所述MOSFET的栅极连接到所述运算放大器的所述输入端。

根据实施例，所述源极和所述漏极连接到所述运算放大器的所述输入端，而所述MOSFET的栅极连接到所述运算放大器的所述输出端。

根据实施例，所述可调节电流源可通过电信号来调节。

根据实施例，所述可调电流源包括第二MOS电容器。

根据实施例，所述可调电流源包括与所述第二MOS电容器并联的第三MOS电容器；其中所述第二MOS电容器的栅极连接至所述输入端并且所述第三MOS电容器的本体触点连接至所述输入端；其中所述第三MOS电容器的栅极连接到所述运算放大器的所述输入端并且所述第三MOS电容器的本体触点连接到所述电信号。

根据实施例，所述第一电流包括辐射检测器的暗噪声；其中所述可调电流源被配置为补偿所述暗噪声。

根据实施例，所述放大器进一步包括处理器，该处理器被配置为基于所述输出的电平来产生所述电信号。

根据实施例，所述处理器被配置为进一步基于比较器的输出来产生所述电信号。

根据实施例，所述处理器包括电荷泵。

根据实施例，所述电荷泵被配置为通过时钟信号来接通和断开。

本文公开一种辐射检测器，其包括：辐射吸收层，其包括电极；如权利要求1所述的放大器，其中所述第一电流来自所述电极，并且所述放大器被配置为基于所述第一电流在所述输出端产生电压；第一电压比较器，其被配置为将所述电极的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，其被配置为将所述电压与第二阈值进行比较；计数器，其被配置为记录被所述辐射吸收层吸收的若干辐射粒子；控制器；其中所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；其中所述控制器被配置为在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；其中所述控制器被配置为，如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值，则使所述计数器记录的数目增加一。