[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包含：

第1积层体，在基板上沿垂直于所述基板的第1方向，交替积层着多层第1电极层与多层第1绝缘层；

多层半导体膜，沿所述第1方向贯通所述第1积层体；

第2积层体，在所述第1积层体上沿所述第1方向，交替积层着多层第2电极层与多层第2绝缘层；及

多个接触插塞，沿所述第1方向贯通所述第2积层体，且个别地连接于所述多层半导体膜的各层与所述多层第2电极层的各层。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个接触插塞的每一个包含第1柱状部、及具有比所述第1柱状部更大径的第2柱状部，且所述第1柱状部的下端连接于所述半导体膜，所述第1柱状部的上端与所述第2柱状部的下端连接，所述第2电极层在所述第1柱状部与所述第2柱状部的边界部连接于所述接触插塞。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第1柱状部的侧面及所述第2柱状部的侧面由绝缘膜覆盖。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中最上层的第2电极层的材料、及与所述最上层的第2电极层连接的接触插塞的材料彼此相同。

5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的半导体存储装置，其中所述多层半导体膜沿与所述第1方向正交的第2方向排列，且

所述多层第2电极层相对于一列所述半导体膜而设置。

6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的半导体存储装置，其中所述多层半导体膜沿与所述第1方向正交的第2方向排列，

所述多层第2电极层相对于在与所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上彼此相邻的多列所述半导体膜共通地设置。

7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的半导体存储装置，其还包含设置于所述多层第1电极层与所述多层半导体膜之间的存储器膜。

8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的半导体存储装置，其中所述多层第1电极层中的每一层为字线，所述多层第2电极层中的每一层为位线。

9.一种半导体存储装置的制造方法，在基板上形成沿第1方向交替积层着多层第1电极层与多层第1绝缘层的第1积层体、及沿所述第1方向贯通所述第1积层体的多层半导体膜，

将沿所述第1方向交替积层着多层第2电极层与多层第2绝缘层的第2积层体形成于所述第1积层体上，

形成沿所述第1方向贯通所述第2积层体的多个接触孔，且

在所述多个接触孔内，形成个别连接于所述多层半导体膜与所述多层第2电极层的多个接触插塞。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置的制造方法，其中在形成所述多个接触孔时，形成深度各不相同的多个第1接触孔，在所述第1接触孔的侧面形成牺牲层，以所述牺牲层为掩模，形成连通于所述第1接触孔的第2接触孔。

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置的制造方法，其中在形成所述多个接触孔时，形成口径各不相同的多个第1接触孔，在所述第1接触孔的侧面形成牺牲层，并以所述牺牲层为掩模形成连通于所述第1接触孔的第2接触孔，且同时形成最上层的第2电极层、及与所述最上层的第2电极层连接的接触插塞。