[发明专利]元件以及电子设备

权利要求书

1.一种元件，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极；

量子点荧光体层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含量子点荧光体粒子；

第一载流子传输层，其位于所述第一电极与所述量子点荧光体层之间，并且由第一载流子传输材料的连续膜构成；以及

第二载流子传输层，其位于所述第一载流子传输层与所述量子点荧光体层之间，并且包含由第二载流子传输材料构成的纳米粒子。

2.如权利要求1所述的元件，其特征在于，

在所述量子点荧光体层与所述第二载流子传输层之间还具备包含所述量子点荧光体粒子和所述纳米粒子的混合层。

3.如权利要求1或2所述的元件，其特征在于，

所述第一载流子传输材料为化合物半导体。

4.如权利要求3所述的元件，其特征在于，

所述第一载流子传输材料中的所述化合物半导体为氧化物半导体。

5.如权利要求1至4中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第二载流子传输材料为化合物半导体。

6.如权利要求5所述的元件，其特征在于，

所述第二载流子传输材料中的所述化合物半导体为氧化物半导体。

7.如权利要求1至6中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第一载流子传输层的导电型与所述第二载流子传输层的导电型相同。

8.如权利要求1至7中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第一载流子传输层的导电型和所述第二载流子传输层的导电型中的至少一者为i型。

9.如权利要求1至8中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第一载流子传输材料和所述第二载流子传输材料包含相同的阳离子。

10.如权利要求9所述的元件，其特征在于，

所述第一载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素和所述第二载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素是相同的元素。

11.如权利要求10所述的元件，其特征在于，

所述第一载流子传输材料和所述第二载流子传输材料是相同的材料。

12.如权利要求1至11中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第一电极为阴极，

所述第一载流子传输材料为氧化物，

所述第一载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素为Zn、Ti、Sr或Sn中的任一种。

13.如权利要求1至12中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第二载流子传输材料为氧化物，

所述第二载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素为Zn、Ti、Sr或Sn中的任一种。

14.如权利要求10所述的元件，其特征在于，

所述相同的元素为Zn、Ti、Sr或Sn中的任一种。

15.如权利要求1至11中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第一电极为阳极，

所述第一载流子传输材料为氧化物，

所述第一载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素为Ni或Cu。

16.如权利要求1至11、或者权利要求15中任一项所述的元件，其特征在于，

所述第二载流子传输材料为氧化物，

所述第二载流子传输材料中作为阳离子含量最多的元素为Ni或Cu。

17.一种电子设备，其特征在于，

包括权利要求1至16中任一项所述的元件。