[发明专利]元件以及电子设备

说明书

在包括QD荧光体粒子(140)的QD层(14)的元件(1)中，位于第一电极(12)与QD层(14)之间的第一空穴传输层(13A)由第一载流子传输材料的连续膜构成。位于第一空穴传输层(13A)与QD层(14)之间的第二空穴传输层(13B)包含由第二载流子传输材料构成的纳米粒子(130)。

技术领域

本公开的一方式涉及一种包括量子点(Quantum Dot，QD)荧光体粒子的元件。

背景技术

近年来，已经使用了包括QD荧光体粒子(也称为半导体纳米粒子荧光体)的元件(光电转换元件)。专利文献1中公开了作为该元件的一个示例的发光元件。专利文献1的发光元件具备：(i)包含QD荧光体粒子的层(发光层)；和(ii)包含无机纳米粒子的层(电子注入/传输层、或空穴注入/传输层)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公表专利公报“特表2012-533156号”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

本公开的一方式的目的在于，与以往相比能够提高元件的性能。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明的一方式涉及的元件包括：第一电极；第二电极；量子点荧光体层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含量子点荧光体粒子；第一载流子传输层，其位于所述第一电极与所述量子点荧光体层之间，并且由第一载流子传输材料的连续膜构成；以及第二载流子传输层，其位于所述第一载流子传输层与所述量子点荧光体层之间，并且包含由第二载流子传输材料构成的纳米粒子。

另外，为了解决上述问题，本发明的一方式涉及的元件包括：第一电极；第二电极；量子点荧光体层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含量子点荧光体粒子；第一载流子传输层，其位于所述第一电极与所述量子点荧光体层之间，并且由第一载流子传输材料的连续膜构成；以及混合层，其位于所述第一载流子传输层与所述量子点荧光体层之间，并且包含(i)所述量子点荧光体粒子和(ii)由第二载流子传输材料构成的纳米粒子。

发明效果

根据本公开的一方式，与以往相比能够提高元件的性能。

附图说明

图1是示出实施方式1的元件的概略性构成的图。

图2是说明比较例的元件中的问题点的图。

图3是说明图1的元件的效果的图。

图4是示出实施方式2的元件的主要部分的构成的图。

图5是示出实施方式3的元件的主要部分的构成的图。

图6是示出实施方式4的元件的概略性构成的图。

具体实施方式

[实施方式1]

图1示出实施方式1的元件1(光电转换元件)的概略性构成。将具备元件1的电子设备称为电子设备100。在实施方式1中，主要例示出元件1是发光元件(更具体而言，电致发光元件)的情况。元件1可以作为电子设备100(例如，显示装置)的光源使用。

关于元件1具备的各部件中与实施方式1没有关系的部件的说明将省略。也可以理解为，这些省略了说明的部件与公知的部件相同。此外，应当注意的是，各附图以概略性地说明各部件的形状、结构以及位置关系，未必一定按比例描绘。

(元件1的概要)

在元件1中，QD层14(量子点荧光体层)设置在第一电极12和第二电极16之间。在实施方式1中，第一电极12是阳极(阳极电极)，第二电极16是阴极(阴极电极)。在本说明书中，将以下所述的从基板11朝向第一电极12(或第二电极16)的方向称为上方。此外，将与上方相反的方向称为下方。