[发明专利]场致发光元件以及场致发光装置

权利要求书

1.一种场致发光元件，包括：

阳极；

阴极；以及

发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间，

所述场致发光元件的特征在于，还包括：

电子传输层，其包含n型半导体颗粒和第一绝缘性聚合物；以及

空穴传输层，其包含p型半导体颗粒，

所述电子传输层设置在所述阴极与所述发光层之间，

所述空穴传输层设置于所述阳极和所述发光层之间，

所述电子传输层中所述n型半导体颗粒的体积比例小于所述空穴传输层中所述p型半导体颗粒的体积比例。

2.根据权利要求1所述的场致发光元件，其特征在于，所述空穴传输层还含有第二绝缘性聚合物。

3.根据权利要求1或2所述的场致发光元件，其特征在于，所述空穴传输层中所述p型半导体颗粒的体积比率为80％以上且99.9％以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的场致发光元件，其特征在于，所述电子传输层中所述n型半导体颗粒的体积比率为5％以上且65％以下。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的场致发光元件，其特征在于，

所述发光层具有绿色的发光波长，

所述电子传输层中所述n型半导体颗粒的体积比率为30％以上且90％以下。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的场致发光元件，其特征在于，

所述发光层具有蓝色的发光波长，

所述电子传输层中所述n型半导体颗粒的体积比率为40％以上且95％以下。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的场致发光元件，其特征在于，所述空穴传输层中所述p型半导体颗粒的体积比例与所述电子传输层中所述n型半导体颗粒的体积比例之差为20％以上。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的场致发光元件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10nm以上且200nm以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的场致发光元件，其特征在于，所述n型半导体颗粒的粒径为1nm以上且30nm以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的场致发光元件，其特征在于，所述p型半导体颗粒的粒径为1nm以上且30nm以下。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的场致发光元件，其特征在于，

在所述发光层与所述空穴传输层之间、所述发光层与所述电子传输层之间的至少一方具备绝缘层。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的场致发光元件，其特征在于，所述发光层包含量子点。

13.一种场致发光装置，其特征在于，其包含权利要求1至12任一项所述的场致发光元件。