[发明专利]场致发光元件以及场致发光装置在审

专利信息
申请号: 201980100150.0 申请日: 2019-09-26
公开(公告)号: CN114391187A 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 岩田升;内海久幸;上田吉裕 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;G09F9/30;H01L27/32;H05B33/12;H05B33/14
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 郝家欢
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 以及 装置
【说明书】:

一种场致发光元件(XR),包括阳极(22);阴极(25);以及发光层,其设置于阳极(22)和阴极(25)之间,还包括:电子传输层(33),其包含n型半导体颗粒(36)和第一绝缘性聚合物(37);以及空穴传输层(30),其包含p型半导体颗粒(34),电子传输层(33)设置在阴极(25)与发光层之间,空穴传输层(30)设置于阳极(22)和发光层之间,电子传输层(33)中n型半导体颗粒(36)的体积比例小于空穴传输层(30)中p型半导体颗粒(34)的体积比例。

技术领域

本公开涉及场致发光元件以及包含多个场致发光元件的场致发光装置。

背景技术

近年来,开发了各种各样的显示装置,特别是,具备OLED(Organic LightEmitting Diode:有机发光二极管)的显示装置、具备无机发光二极管或QLED(Quantum dotLight Emitting Diode:量子点发光二极管)的显示装置从能够实现低功耗化、薄型化及高画质化等方面出发,备受关注。

专利文献1~3中记载了OLED或QLED等场致发光元件中具备含有半导体纳米颗粒(例如金属氧化物纳米颗粒)的电子传输层或空穴传输层的构成。

图9的(a)、图9的(b)、图9的(c)以及图9的(d)是示出专利文献1至3所记载的现有的场致发光元件101、102、103、104的概略构成的图。

图9的(a)所示的专利文献1记载的场致发光元件101具有在基板111上从基板111侧起依次层叠有阳极(Anode)112、空穴传输层113、发光层114、纳米颗粒层115和阴极(Cathode)116的结构。然后,将作为金属氧化物纳米颗粒(电子传输材料)的钛酸钡纳米颗粒分散于二甲苯溶液中得到的材料通过喷雾法涂布在发光层114上,从而形成纳米颗粒层115。根据专利文献1,如上所述,记载了由于在发光层114和阴极(Cathode)116之间具备纳米颗粒层115,能够高效地向发光层114进行电子注入。

图9的(b)所示的专利文献1记载的场致发光元件102具有在基板111上从基板111侧起依次层叠有阳极(Anode)112、空穴传输层113、发光层114、含纳米颗粒膜117以及阴极(Cathode)116的结构。而且,含纳米颗粒膜117通过喷雾法将溶液涂布在发光层114上而形成,所述溶液是在作为粘合剂树脂的聚苯乙烯中以重量比3:1(聚苯乙烯:钛酸钡=3:1)的方式混入钛酸钡而成的混合物溶解和/或分散于二甲苯中而成的。另外,记载了在粘合剂树脂中可以混入电子传输材料,作为粘合剂树脂具有电子传输性的材料是优选的。根据专利文献1,如上所述,记载了由于在发光层114和阴极(Cathode)116之间具备含纳米颗粒膜117,能够高效地向发光层114进行电子注入。

图9的(c)所示的专利文献2所记载的场致发光元件103具有在基板121上从基板121侧起依次层叠有阳极(Anode)122、空穴注入层123、空穴传输层124、发光层125、电子传输层126、电子注入层127及阴极(Cathode)128的结构。而且,空穴传输层124含有半导体纳米颗粒129,空穴传输层124的表面具有凹凸结构。根据专利文献2,如上所述,由于空穴传输层124含有半导体纳米颗粒129,因此,能够提高空穴的传输性,空穴传输层124的表面具有凹凸结构,因此,在具有凹凸的界面中,能够通过电场集中高效地进行空穴注入。

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