[发明专利]柱状半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种SGT柱状半导体装置，为：

在基板上往垂直方向直立的第一半导体柱及第二半导体柱；

第一杂质层及第二杂质层，该第一杂质层连接于前述第一半导体柱的底部和/或底部侧面而作为汲极或源极，该第二杂质层连接于前述第二半导体柱的底部和/或底部侧面而作为源极或汲极；

第三杂质层及第四杂质层，该第三杂质层在前述第一半导体柱的上部内部和/或包围前述第一半导体柱的上部而作为汲极或源极，该第四杂质层在前述第二半导体柱的上部内部和/或包围前述第二半导体柱的上部而作为源极或汲极；

第一栅极绝缘层，包围前述第一半导体柱及前述第二半导体柱；

第一栅极导体层及第二栅极导体层，该第一栅极导体层包围前述第一半导体柱外周的前述第一栅极绝缘层，该第二栅极导体层包围前述第二半导体柱外周的前述第一栅极绝缘层；以及

第一接触柱，从平面图看时位于前述第一杂质层与前述第二杂质层之间，且往垂直方向直立并且至少于中央部具有导体层，

前述第一栅极绝缘层延伸到前述第一接触柱而与前述第一接触柱相连，且包围前述第一接触柱的侧面。

2.根据权利要求1所述的SGT柱状半导体装置，其中，

前述第一接触柱的底部的在垂直方向的位置，比前述第一半导体柱及前述第二半导体柱的底部位置还要下方。

3.根据权利要求1所述的SGT柱状半导体装置，其中，

从平面图看时，与前述第一半导体柱及前述第二半导体柱平行的两条假想的切线，也与前述第一接触柱相切。

4.根据权利要求1所述的SGT柱状半导体装置，其中，

前述第一栅极绝缘层在前述第一半导体柱及前述第二半导体柱的外周部为不同的材料，且前述第一半导体柱及前述第二半导体柱的任一者的前述第一栅极绝缘层与前述第一接触柱的外周部相连。

5.根据权利要求1所述的SGT柱状半导体装置，其中，

在前述接触柱的外周部，从平面图看时有由金属、合金或绝缘层的单层或多层所构成的第一材料层。

6.根据权利要求1所述的SGT柱状半导体装置，其中，

从平面图看时，前述第一接触柱的中点在连结前述第一半导体柱的中点与前述第二半导体柱的中点的第一线上，

该SGT柱状半导体装置并具有第三半导体柱，该第三半导体柱在与前述第一接触柱相反侧与前述第二半导体柱邻接，且在前述第一线上具有中点，

前述第一栅极绝缘层从前述第二半导体柱延伸并包围前述第三半导体柱的侧面，

前述第二栅极导体层从前述第二半导体柱延伸并包围前述第三半导体柱的外周部侧面，

前述第二栅极导体层在前述第二半导体柱与前述第三半导体柱的前述第一栅极绝缘层的侧面全体进行接触。

7.根据权利要求6所述的SGT柱状半导体装置，其具有第四半导体柱，该第四半导体柱在与前述第二半导体柱相反侧与前述第三半导体柱邻接，且在前述第一线上具有中点，

前述第一栅极绝缘层从前述第二半导体柱及前述第三半导体柱延伸并包围前述第四半导体柱侧面，

前述第二栅极导体层从前述第二半导体柱及前述第三半导体柱延伸并包围前述第四半导体柱的外周部侧面，

前述第二栅极导体层在前述第二半导体柱、前述第三半导体柱与前述第四半导体柱的前述第一栅极绝缘层的侧面全体进行接触。

8.根据权利要求6所述的SGT柱状半导体装置，其中，

前述第一半导体柱包含选择用SGT，

前述第二半导体柱包含负载用SGT，

前述第三半导体柱包含驱动用SGT，

该SGT柱状半导体装置具有前述第一半导体柱、前述第二半导体柱及前述第三半导体柱而构成SRAM单元。