[其他]存储器和其电子装置及其测试系统有效

专利信息
申请号: 201990000295.9 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN213691455U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 王树锋;刘纪文;曲虹亮 申请(专利权)人: 前海晶云(深圳)存储技术有限公司
主分类号: G11C29/18 分类号: G11C29/18;G11C29/36
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储器 电子 装置 及其 测试 系统
【权利要求书】:

1.一种存储器,是动态随机存取存储器,包括DRAM存储器,以及用于DRAM存储器和外部进行数据交换的DRAM数据交换接口;其特征在于:

还包括非易失性存储器,用于存储DRAM存储器的特征参数信息;

还包括非易失性存储器数据交换接口,用于非易失性存储器和外部进行数据交换。

2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于:

所述非易失性存储器中存储的特征参数信息包括CAS Latency参数、tRCD参数、tRP参数和tRAS参数。

3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于:

所述非易失性存储器中存储的特征参数信息还包括Fast RAS To CAS Delay参数、tAC参数和tCL参数。

4.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于:

所述非易失性存储器中存储的特征参数信息还包括缺陷存储单元的地址索引信息,所述地址索引信息用于定位缺陷存储单元所在的地址分区。

5.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于:

所述DRAM存储器,包括用于电脑和服务器的DDR SDRAM存储器。

6.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于:

所述DDR SDRAM存储器,包括第三代DDR SDRAM存储器即DDR3 SDRAM存储器、第四代DDRSDRAM存储器即DDR4 SDRAM、第五代DDR SDRAM存储器即DDR5 SDRAM。

7.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于:

所述DRAM存储器,包括用于用于移动终端的LPDDR SDRAM存储器。

8.根据权利要求7所述的存储器,其特征在于:

所述LPDDR SDRAM存储器,包括第二代LPDDR SDRAM存储器即LPDDR2 SDRAM存储器、第三代LPDDR SDRAM存储器即LPDDR3 SDRAM、第四代LPDDR SDRAM存储器即LPDDR4 SDRAM和第五代LPDDR SDRAM存储器即LPDDR5SDRAM。

9.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于:

所述非易失性存储器包括EEPROM存储器、NOR FLASH存储器和NAND FLASH存储器中的任意一种或多种。

10.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于:

所述非易失性存储器数据交换接口包括I2C接口。

11.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于:

所述存储器的封装规格包括LPDDR2 168b、LPDDR3 178b、LPDDR4 200b、LPDDR4 366b、eMCP 221b、eMCP 254b、MCP 162b、DDR3 78b、DDR4 78b和DDR5 170b;利用上述封装中的闲置管脚用作易失性存储器数据交换接口。

12.一种存储器测试系统,其特征在于:

包括用于测试控制的测试主机和用于提供存储器测试接口的测试接口板;

所述测试接口板上的接口包括测试板DRAM数据交换接口、测试板非易失性存储器数据交换接口;

所述测试接口板上的测试板DRAM数据交换接口用于和待测试存储器的DRAM数据交换接口对接;

所述测试接口板上的测试板非易失性存储器数据交换接口用于和待测试存储器的非易失性存储器数据交换接口对接;

测试主机,控制测试板DRAM数据交换接口和待测试存储器的DRAM数据交换接口连接,并获取待测试存储器的特征参数信息;测试主机,通过测试板非易失性存储器数据交换接口将特征参数信息写入存储器的非易失性存储器,使存储器内部自带特征参数信息。

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