[其他]存储器和其电子装置及其测试系统

说明书

一种存储器和其电子装置及其测试系统，其中存储器是动态随机存取存储器，包括DRAM存储器和非易失性存储器；其中的DRAM存储器通过DRAM数据交换接口和外部进行数据交换；非易失性存储器通过非易失性存储器数据交换接口和外部进行数据交换；非易失性存储器用于存储DRAM存储器的特征参数信息，可根据不同设备对DRAM存储器的要求，针对性的定制符合各自需求的存储器；对一些部分存储单元故障的存储器，也能通过该方法继续使用。

技术领域

本实用新型涉及DRAM(Dynamic Random Access Memory)即动态随机存取存储器的集成电路设计、封装及测试技术领域，具体涉及内置有特征参数信息的动态随机存取存储器，包含该存储器的电子装置，存储器测试系统，存储器测试方法和存储器应用方法。

背景技术

现有技术中，动态随机存取存储器即DRAM芯片应用范围十分广泛，各种不同的CPU对与之配合的内存DRAM芯片的要求也不相同，因此对DRAM芯片的适应性提出了更高的要求。

现有技术中，每一个动态随机存取存储器中的DRAM存储单元有自己最优的相关电路参数设置范围，传统的做法是针对CPU平台来选择一个电路参数范围做为测试标准，符合标准的动态随机存取存储器做为标准元器件供应客户。

现有技术中，DRAM芯片中通常不会留有该芯片的特征参数信息，CPU需要事先获取DRAM 的特征参数信息，并判断这些特征参数信息是否匹配使用；因此CPU和DRAM的配合相对僵化，并不灵活。且DRAM芯片中若出现了部分存储单元的损坏，可能导致整个芯片不能继续使用。

本实用新型设计的动态随机存取存储器通过内置一个非易失性存储器，存储存储器的特征参数信息，并将存储的特征参数信息与外部CPU或其他外部设备共享，使得外部CPU或其他外部设备能和存储器协同的更好，更灵活，即使是存在部分存储单元失效，也可以继续使用动态随机存取存储器。

以下为名字解释。

DDR SDRAM是英文Double Data Rate Synchronous Dynamic Random AccessMemory的缩写，中文含义是双倍速率同步动态随机存取存储器。

LPDDR SDRAM是英文Low Power Double Data Rate Synchronous DynamicRandom Access Memory的缩写，中文含义是低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器。

EEPROM是英文Electrically erasable programmable read only memory的缩写，中文含义是电可擦可编程只读存储器。

NOR FLASH的中文含义是或非型非易失闪存。

NAND FLASH的中文含义是与非型非易失闪存。

eMCP是英文Embedded Multi-Chip Package的缩写，中文含义是：嵌入式多芯片封装；是一种芯片封装形式；如：eMCP 254b，其中254b代表是以254颗锡球做为信号接口。

LPDDR是英文Low Power Double Data Rate的缩写，中文含义是：低功耗双倍速率；是LPDDR SDRM的简称；是一种芯片封装形式；在LPDDR2 168b、LPDDR3 178b、LPDDR4200b、 LPDDR4 366b中，数字加b的含义是，以不同数量锡球做为信号接口；其中LPDDR2，LPDDR3、 LPDDR4和LPDDR5分别是指第二、三、四、五代的LPDDR SDRAM芯片封装形式。

MCP是英文Multi-Chip Package的缩写，中文含义是：多芯片封装；是一种芯片封装形式；MCP162b，其中162b的含义是，以162颗锡球做为信号接口。