[发明专利]一种蛋白质的表达方法在审
| 申请号： | 202010000203.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113121687A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 侯盛;郭怀祖;聂丽;郭清城;戴建新;寇庚;徐进;张存超;黄卫红 | 申请（专利权）人： | 上海迈泰君奥生物技术有限公司;上海百迈博制药有限公司;上海张江生物技术有限公司 |
| 主分类号： | C07K16/28 | 分类号： | C07K16/28;C12N5/071 |
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| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蛋白质 表达 方法 | ||
1.一种抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述方法使用无血清、无动物源组分的基础培养基及补充培养基对含有抗EGFR抗体Pan-P基因序列的CHO宿主细胞进行培养表达，所述基础培养基为CHOM-B系列的组合培养基，所述补充培养基为CHOM-S系列的组合培养基。
2.根据权利要求1所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述方法的CHO宿主细胞的培养表达包含细胞扩增阶段、灌流培养阶段及补充培养阶段，在细胞扩增和灌流培养阶段使用基础培养基，补充培养阶段使用补充培养基。
3.根据权利要求2所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述CHO宿主细胞灌流培养阶段的条件为：温度为30℃~39℃；基础培养基pH为6.6~7.1；溶氧量30%~60%；每日补充葡萄糖3~5g/L；搅拌转速80~150rpm。
4.根据权利要求3所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述CHO宿主细胞灌流培养阶段的条件为：温度为35.5℃~36.5℃；基础培养基pH为6.6~6.8；溶氧量30%~40%；每日补充葡萄糖3~5g/L；搅拌转速80~150rpm。
5.根据权利要求2所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述CHO宿主细胞补充培养阶段的条件为：在灌流培养培养的第2~4天，降低温度至32℃~34℃，pH为7.0~7.3，添加补充培养基，进行补充培养，每日添加补充培养基的量为上灌体积的1%~5%，补充培养8~18天。
6.根据权利要求5所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述CHO宿主细胞补充培养阶段的条件为：在灌流培养培养的第2~4天，降低温度至33℃，pH为7.0~7.1，添加补充培养基，进行补充培养，每日添加补充培养基的量为上灌体积的1%~5%，低温补充培养8~10天。
7.根据权利要求1-6所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述基础培养基为CHOM-B01与CHOM-B02组合、CHOM-B01与CHOM-B03组合、CHOM-B01与CHOM-B02及CHOM-B03组合。
8.根据权利要求7所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述基础培养基为CHOM-B01：CHOM-B02为1:1~1:5，CHOM-B01：CHOM-B03为1:1~1:0.1。
9.根据权利要求8所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述基础培养基为CHOM-B01：CHOM-B02为1:1~1:3。
10.根据权利要求1-6所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述补充培养基为CHOM-S01与CHOM-S03组合、CHOM-S01与CHOM-S04的组合、CHOM-S01与CHOM-S03及CHOM-S04组合。
11.根据权利要求10所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述补充培养基为CHOM-S01：CHOM-S03为1:1~1:0.3，CHOM-S01：CHOM-S04为1:1~1:7。
12.根据权利要求11所述的抗EGFR抗体的制备方法，其特征在于，所述补充培养基为CHOM-S01：CHOM-S03为1:1~1:0.3。
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