[发明专利]三维存储器、制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：

栅叠层结构，包括栅极导体及将相邻的所述栅极导体隔开的绝缘层；

共源极，贯穿所述栅叠层结构；

顶部选择栅切线，自所述栅叠层结构的上表面向内延伸，其中，相邻的所述共源极之间至少具有2个所述顶部选择栅切线，且交错排布，位于上方的所述顶部选择栅切线与位于下方的所述顶部选择栅切线与同一所述绝缘层接触；在横向上，相邻的栅缝隙间仅具有1个所述顶部选择栅切线；

沟道，贯穿所述栅叠层结构，且相邻的所述顶部选择栅切线之间具有所述沟道。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：相邻的所述共源极之间具有14行所述沟道。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：相邻的所述共源极之间具有2个所述顶部选择栅切线，且2个所述顶部选择栅切线沿着14行所述沟道的等分线设置。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：相邻的所述共源极之间具有5n-1行所述沟道，其中n≥4，且为整数。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于：相邻的所述共源极之间具有n-1个所述顶部选择栅切线，且n-1个所述顶部选择栅切线沿着5n-1行所述沟道的等分线设置。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述顶部选择栅切线的排布方式包括正倾斜式及负倾斜式中的一种或组合。

7.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供叠层结构，所述叠层结构包括牺牲层及将相邻的所述牺牲层隔开的绝缘层；

于所述叠层结构中形成顶部选择栅切线；

于所述叠层结构中形成沟道，所述沟道贯穿所述叠层结构；

于所述叠层结构中形成栅缝隙，所述栅缝隙贯穿所述叠层结构；

基于所述栅缝隙，去除所述牺牲层，形成包括栅极导体及绝缘层的栅叠层结构与填充所述栅缝隙的共源极；

其中，所述顶部选择栅切线自所述栅叠层结构的上表面向内延伸，相邻的所述共源极之间至少具有2个所述顶部选择栅切线，且交错排布，位于上方的所述顶部选择栅切线与位于下方的所述顶部选择栅切线与同一所述绝缘层接触；在横向上，相邻的栅缝隙间仅具有1个所述顶部选择栅切线；相邻的所述顶部选择栅切线之间具有所述沟道。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，形成所述顶部选择栅切线的步骤包括：

提供具有所述牺牲层及绝缘层的第一叠层结构；

于所述第一叠层结构中形成第一顶部选择栅沟槽，沉积第一绝缘介质，以形成第一顶部选择栅切线；

于所述第一叠层结构上沉积所述绝缘层及牺牲层，形成第二顶部选择栅沟槽，沉积第二所述绝缘介质，以形成第二顶部选择栅切线，其中，所述第二顶部选择栅切线与所述第一顶部选择栅切线交错排布，且与同一所述绝缘层接触。

9.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在形成所述顶部选择栅切线之后及形成所述沟道之前，还包括形成台阶状的所述叠层结构的步骤。

10.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：包括于相邻的所述共源极之间形成14行所述沟道，并沿着14行所述沟道的等分线形成2个所述顶部选择栅切线。

11.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：包括于相邻的所述共源极之间形成5n-1行所述沟道，其中n≥4，且为整数，并沿着5n-1行所述沟道的等分线形成n-1个所述顶部选择栅切线。

12.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：形成的所述顶部选择栅切线的排布方式包括正倾斜式及负倾斜式中的一种或组合。

13.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括如权利要求1～6中任一项所述的三维存储器。