[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 202010001127.0 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111146210A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 胡迎宾;赵策;丁远奎;王明;李伟;李广耀;宋威;倪柳松;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括衬底和多个像素电路，每个像素电路包括驱动薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管，其特征在于，
所述驱动薄膜晶体管的第一电极和所述补偿薄膜晶体管的第一电极连为一体形成连接部，并且，所述连接部、所述驱动薄膜晶体管的有源层和所述补偿薄膜晶体管的有源层同层设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部由经过导体化的半导体材料构成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管的第二电极、所述补偿薄膜晶体管的第二电极与所述驱动薄膜晶体管的有源层同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的第一电极与数据线电连接，所述开关薄膜晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第二电极和栅极电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的有源层与所述驱动薄膜晶体管的有源层同层设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述开关薄膜晶体管的第一电极和第二电极与其有源层同层设置；
所述驱动薄膜晶体管的第一电极和第二电极与其有源层同层设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
设于所述驱动薄膜晶体管的有源层和栅极的远离所述衬底的一侧的介电层；以及
设于所述介电层的远离所述衬底的一侧的连接线，所述连接线通过所述介电层中的过孔分别与所述驱动薄膜晶体管的第二电极、所述驱动薄膜晶体管的栅极、所述开关晶体管的第二电极连接。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供所述衬底；
在所述衬底上形成同层设置的驱动薄膜晶体管的有源层、补偿薄膜晶体管的有源层、连接部；所述连接部由所述驱动薄膜晶体管的第一电极和所述补偿薄膜晶体管的第一电极连为一体形成。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成同层设置的驱动薄膜晶体管的有源层、补偿薄膜晶体管的有源层、连接部包括：
在所述衬底上形成半导体材料层；
通过构图工艺用所述半导体材料层形成包括所述驱动薄膜晶体管的有源层、所述补偿薄膜晶体管的有源层和所述连接部的图形；
对所述连接部进行导体化。
10.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-7中任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
