[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置中，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的显示装置无法进一步提高分辨率的问题。本发明实施例的驱动薄膜晶体管的第一电极和补偿薄膜晶体管的第一电极通过连接部在同一层上连为一体，无需像现有技术那样在介电层上实现驱动薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管的搭接，减小了驱动薄膜晶体管的第一电极和补偿薄膜晶体管的第一电极之间的距离，以节省搭接空间，缩小电路所占用的面积，进而提高产品分辨率，从而提高产品显示质量。另外，本发明提供的阵列基板不改变像素电路的电路结构，因而不会引入新的工艺难点。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有超薄、大视角、高亮度、成本低、响应速度快、低功耗、工作温度范围宽及可柔性显示等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术，越来越多的应用各种显示装置中。

图1为现有技术中一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，该阵列基板的像素电路包括开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3，在开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3的远离衬底的一侧设置有介电层，在介电层对应驱动薄膜晶体管T2的漏极的位置处设置有第一过孔，在介电层对应补偿薄膜晶体管T3的源极的位置处设置有第二过孔，驱动薄膜晶体管T2的漏极通过第一过孔与第二过孔与补偿薄膜晶体管T3的源极电连接(搭接)。

现有技术中至少存在如下问题：以上结构需要在介电层中设置过孔，而受限于掩膜工艺，过孔间的距离无法过小，从而无法降低像素电路所占面积，进而导致产品分辨率不能进一步得到提高。

发明内容

本发明至少部分解决现有的显示装置无法进一步提高分辨率的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

本发明的一个方面提供一种阵列基板，包括衬底和多个像素电路，每个像素电路包括驱动薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管，其中，

所述驱动薄膜晶体管的第一电极和所述补偿薄膜晶体管的第一电极连为一体形成连接部，并且，所述连接部、所述驱动薄膜晶体管的有源层和所述补偿薄膜晶体管的有源层同层设置。

可选地，所述连接部由经过导体化的半导体材料构成。

可选地，所述驱动薄膜晶体管的第二电极、所述补偿薄膜晶体管的第二电极与所述驱动薄膜晶体管的有源层同层设置。

可选地，所述像素电路还包括开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的第一电极与数据线电连接，所述开关薄膜晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第二电极和栅极电连接。

可选地，所述开关薄膜晶体管的有源层与所述驱动薄膜晶体管的有源层同层设置。

可选地，所述开关薄膜晶体管的第一电极和第二电极与其有源层同层设置；

所述驱动薄膜晶体管的第一电极和第二电极与其有源层同层设置。

可选地，设于所述驱动薄膜晶体管的有源层和栅极的远离所述衬底的一侧的介电层；以及

设于所述介电层的远离所述衬底的一侧的连接线，所述连接线通过所述介电层中的过孔分别与所述驱动薄膜晶体管的第二电极、所述驱动薄膜晶体管的栅极、所述开关晶体管的第二电极连接。

本发明的另一个方面提供一种阵列基板的制备方法，其包括：

提供所述衬底；

在所述衬底上形成同层设置的驱动薄膜晶体管的有源层、补偿薄膜晶体管的有源层与连接部；所述连接部由所述驱动薄膜晶体管的第一电极和所述补偿薄膜晶体管的第一电极连为一体形成。