[发明专利]晶圆承载装置有效
| 申请号： | 202010002190.6 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111276428B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈建宇;申文帅;程志;张新波;于军洋;高志虎 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘鹤;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 承载 装置 | ||
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，所述装置包括：
承载本体，在对晶圆进行光刻工艺处理过程中，所述晶圆设置在所述承载本体上；
限位部件，在对所述晶圆进行光刻工艺处理过程中，通过所述限位部件限制所述晶圆在所述承载本体上的移动；所述限位部件包括：第一部分及第二部分；其中，所述第一部分设置在所述承载本体的上表面上，且所述第一部分中靠近晶圆的侧面与所述承载本体的上表面垂直；所述第二部分设置在所述第一部分上，且所述第二部分中靠近晶圆的侧面与所述第一部分中靠近晶圆的侧面之间的角度大于90度且小于180度，以防止晶圆边缘中存在光刻胶的部分与所述限位部件直接接触；
所述限位部件还包括第三部分；其中，所述第三部分设置在所述第二部分上，且所述第三部分中靠近晶圆的侧面与所述承载本体的上表面垂直。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一部分的高度小于晶圆的厚度的一半。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一部分与所述第二部分的总高度大于晶圆的厚度。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一部分为圆柱体，所述第二部分为圆台，且所述第一部分的一个圆柱面设置在所述承载本体的上表面上，另一个圆柱面与所述第二部分的两个圆柱面中面积较大的圆柱面面积相等。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述限位部件还包括第三部分；其中，所述第三部分为圆柱体，且所述第二部分的两个圆柱面中面积较小的圆柱面与所述第三部分的一个圆柱面面积相等。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述限位部件通过螺纹连接的方式设置在所述承载本体上。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述限位部件还包括螺纹连接部分，与所述第一部分设置在所述承载本体上的面相连；所述承载本体上设置有螺纹孔结构；所述限位部件通过所述螺纹连接部设置在所述螺纹孔结构中。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述限位部件的数量为3～8个。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述限位部件均匀地分布在所述承载本体上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
