[发明专利]膜层结构、膜层结构沉积方法及设备

权利要求书

1.一种膜层结构沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一批次基底；及

采用原子层沉积工艺同时于该批次所述基底上沉积膜层结构。

2.根据权利要求1所述的膜层结构沉积方法，其特征在于：采用原子层沉积工艺同时于该批次所述基底上沉积所述膜层结构包括：执行若干个沉积周期，各所述沉积周期均包括如下步骤：

向该批所述基底提供前驱体，所述前驱体吸附于所述基底上；

对该批次所述基底进行第一次吹扫；

向该批次所述基底提供还原性气体，所述还原性气体与所述基底上吸附的所述前驱体反应以于所述基底上形成薄膜层；

对该批次所述基底进行第二次吹扫；

各所述沉积周期形成的所述薄膜层共同构成所述膜层结构。

3.根据权利要求2所述的膜层结构沉积方法，其特征在于：所述膜层结构包括钨膜层结构；所述前驱体包括含钨前驱体，所述还原性气体包括含氢还原性气体；使用惰性气体对所述基底进行第一次吹扫及第二次吹扫。

4.根据权利要求2所述的膜层结构沉积方法，其特征在于，向该批次所述基底提供所述还原性气体的同时向该批次所述基底提供钝化气体，所述钝化气体用于钝化所述还原性气体与所述前驱体的反应速率。

5.根据权利要求4所述的膜层结构沉积方法，其特征在于，所述钝化气体包括氮气。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的膜层结构沉积方法，其特征在于，将该批次所述基底装载于晶舟上，并将装载有该批次所述基底的所述晶舟传送至管式炉内，于所述管式炉内采用原子层沉积工艺同时于该批次所述基底上沉积膜层结构。

7.一种膜层结构，其特征在于，所述膜层结构采用如权利要求1至6中任一项所述的沉积方法而形成。

8.一种膜层结构沉积设备，其特征在于，包括：

管式炉；

晶舟，用于装载一批次基底，并将该批次基底传送至所述管式炉内；及

原子层沉积系统，用于同时于该批次所述基底上沉积膜层结构。

9.根据权利要求8所述的膜层结构沉积设备，其特征在于：所述原子沉积系统包括：

前驱体供给系统，与所述管式炉内部相连通，用于向所述管式炉内提供前驱体；

还原性气体供给系统，与所述管式炉内部相连通，用于向所述管式炉内提供还原性气体；

吹扫系统，与所述管式炉内部相连通，用于在所述前驱体供给系统向所述管式炉内提供前驱体后及所述还原性气体供给系统向所述管式炉内提供还原性气体后对所述管式炉内进行吹扫。

10.根据权利要求9所述的膜层结构沉积设备，其特征在于：所述前驱体供给系统包括含钨前驱体供给系统，所述还原性气体供给系统包括含氢还原性气体供给系统，所述吹扫系统包括惰性气体吹扫系统。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的膜层结构沉积设备，其特征在于：所述膜层结构沉积设备还包括钝化气体供给系统，与所述管式炉内部相连通，用于在所述还原性气体供给系统向所述管式炉内提供所述还原性气体的同时向所述管式炉内提供钝化气体；所述钝化气体用于钝化所述还原性气体与所述前驱体的反应速率。