[发明专利]一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记

说明书

本申请实施例公开一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，其中，所述套刻标记方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；在所述第一材料层之后形成第二材料层；在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。

技术领域

本申请实施例涉及半导体器件及其制造领域，涉及但不限于一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记。

背景技术

在三维闪存(3D NAND)的制造工艺过程中,为了满足栅线(GL)刻蚀(Etch)工艺的高深宽比高选择比的需求，需要使用更厚更致密的硬掩模(HM，hard mask)作为保型材料。但随着材料厚度及致密度的增加，这些膜层对光的吸收也随之增加，反射减少，从而对光刻制程造成很大影响，尤其使光刻制程后的套刻(OVL，Overlay)量测困难增加，显影后的图形OVL量测准确性比较低，影响OVL补偿结果进而影响最终的良率水平。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，通过在第一材料层(如半导体衬底)上形成第一标记，在第二材料层(多晶硅栅层)上形成第二标记，其中，第一标记和第二标记的尺寸不同，且第一标记和第二标记的组成不同，增加了第一标记与第二标记的对比度，进而提升套刻量测的准确性。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种套刻标记方法，所述方法包括：

在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；

在所述第一材料层之后形成第二材料层；

在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；

其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；

其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。

在一些实施例中，所述在第一材料层上形成N个第一标记包括：

在第一材料层上，分别沿第一方向和第二方向形成至少一个第一标记列；其中，所述第一方向和所述第二方向垂直；

对应的，所述在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，包括：

在第二材料层上，分别沿所述第一方向和所述第二方向形成至少一个第二标记列；其中，沿所述第一方向的第一标记列中的第一标记和沿所述第一方向的第二标记列中的第二标记一一对应，沿所述第一方向的第一标记列中的第一标记的长度方向和沿所述第一方向第二标记列中的第二标记的长度方向与所述第一方向垂直；沿所述第二方向的第一标记列中的第一标记和沿所述第二方向第二标记列中的第二标记一一对应，沿所述第二方向的第一标记列中的第一标记的长度方向和沿所述第二方向的第二标记列中的第二标记的长度方向与所述第二方向垂直。

在一些实施例中，每个标记列中的标记数量相等，将所述第一标记列和第二标记列投影在同一平面时，第一方向的第一标记列位于所述第一方向的第二标记列的内侧，第二方向的第一标记列位于所述第二方向的第二标记列内侧。

在一些实施例中，所述在第一材料层上，分别沿第一方向和第二方向形成至少一个第一标记列，包括：在第一材料层上形成分别沿第一方向和第二方向的两个第一标记列；

对应地，在第二材料层上，分别沿所述第一方向和所述第二方向形成两个第二标记列，其中，同一方向的两个标记列中心对称。